- Mounting Style :
- Maximum Operating Temperature :
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max :
- Collector-Emitter Saturation Voltage :
- Gate-Emitter Leakage Current :
- Maximum Gate Emitter Voltage :
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13 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
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Ein Angebot |
3,200
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | IGBT Transistors 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGB... | SMD/SMT | D-PAK-3 | + 150 C | Tube | 60 W | Single | 1.2 kV | 3.17 V | 11 A | +/- 20 V | ||||
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Ein Angebot |
1,600
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | IGBT Transistors 600V LO-VCEON NON PNCH THRU COPCK ... | SMD/SMT | TO-263-3 | + 175 C | Reel | Single | 600 V | 11 A | +/- 20 V | ||||||
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Ein Angebot |
950
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | IGBT Transistors 600V UltraFast 8-60kHz | Through Hole | TO-220-3 | Tube | 49 W | Single | 600 V | 1.95 V | 11 A | +/- 20 V | |||||
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Ein Angebot |
800
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V Low-Vceon | Through Hole | TO-220FP-3 | + 175 C | Tube | 38 W | Single | 600 V | 1.8 V | 11 A | 100 nA | +/- 20 V | |||
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Ein Angebot |
660
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | IGBT Transistors PowerMESH" IGBT | Through Hole | TO-220-3 | + 150 C | Tube | 28 W | Single | 600 V | 2 V | 11 A | 150 uA | +/- 20 V | |||
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Ein Angebot |
245
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 1200V UltraFast 4-20kHz | Through Hole | TO-247-3 | Tube | 60 W | Single | 1.2 kV | 3.17 V | 11 A | +/- 20 V | |||||
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Ein Angebot |
450
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 1200V UltraFast 4-20kHz | Through Hole | TO-262-3 | Tube | 60 W | Single | 1.2 kV | 3.17 V | 11 A | +/- 20 V | |||||
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Ein Angebot |
112
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 1200V UltraFast 4-20kHz | Through Hole | TO-247-3 | Tube | 60 W | Single | 1.2 kV | 3.17 V | 11 A | +/- 20 V | |||||
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Ein Angebot |
425
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | IGBT Transistors 600V ULTRAFAST 10-30KHZ COPACK IGBT | SMD/SMT | D-PAK-3 | + 150 C | Tube | 49 W | Single | 600 V | 1.95 V | 11 A | +/- 20 V | ||||
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Ein Angebot |
800
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V 10A | SMD/SMT | TO-263-3 | + 175 C | Reel | 63 W | Single | 600 V | 11 A | 100 nA | +/- 20 V | ||||
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Ein Angebot |
346
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | IGBT Transistors 600V TRENCH ULTRAFAST IGBT | SMD/SMT | DPAK-3 | + 175 C | Tube | 58 W | Single | 600 V | 1.75 V | 11 A | 100 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
519
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | IGBT Transistors 600V TRENCH IGBT ULTRAFAST | Through Hole | TO-220AB-3 | + 175 C | Tube | 58 W | Single | 600 V | 2.2 V | 11 A | 100 nA | +/- 20 V | |||
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Ein Angebot |
45
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | IGBT Transistors 600V TRENCH ULTRAFAST IGBT | SMD/SMT | D-PAK-3 | + 175 C | Tube | 58 W | Single | 600 V | 1.75 V | 11 A | +/- 100 nA | +/- 30 V |
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