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Package / Case :
Gate-Emitter Leakage Current :
Maximum Gate Emitter Voltage :
2 Produkt
Bild Modell Preis Anzahl Lager Hersteller Beschreibung Mounting Style Package / Case Maximum Operating Temperature Packaging Pd - Power Dissipation Configuration Collector- Emitter Voltage VCEO Max Collector-Emitter Saturation Voltage Continuous Collector Current at 25 C Gate-Emitter Leakage Current Maximum Gate Emitter Voltage
IRGR4607DPBF
1+
$0.7040
10+
$0.5960
100+
$0.4760
500+
$0.4160
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RFQ
346
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Infineon / IR IGBT Transistors 600V TRENCH ULTRAFAST IGBT SMD/SMT DPAK-3 + 175 C Tube 58 W Single 600 V 1.75 V 11 A 100 nA 20 V
IRGS4607DPBF
1+
$0.8120
10+
$0.6880
100+
$0.5520
500+
$0.4800
Ein Angebot
RFQ
45
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Infineon / IR IGBT Transistors 600V TRENCH ULTRAFAST IGBT SMD/SMT D-PAK-3 + 175 C Tube 58 W Single 600 V 1.75 V 11 A +/- 100 nA +/- 30 V