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2 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
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Ein Angebot |
950
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | IGBT Transistors 600V UltraFast 8-60kHz | Through Hole | TO-220-3 | Tube | 49 W | Single | 600 V | 1.95 V | 11 A | +/- 20 V | |||||
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Ein Angebot |
660
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | IGBT Transistors PowerMESH" IGBT | Through Hole | TO-220-3 | + 150 C | Tube | 28 W | Single | 600 V | 2 V | 11 A | 150 uA | +/- 20 V |
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