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- Pd - Power Dissipation :
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37 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Product | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | |
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Ein Angebot |
15
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT Module 150A 1700V | IGBT Silicon Modules | + 150 C | 750 W | 1200 V | 2.1 V | 150 A | 100 nA | |||||
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Ein Angebot |
12
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT 1200V 600A | IGBT Silicon Modules | + 150 C | 4050 W | Dual | 1200 V | 2.1 V | 995 A | 400 nA | ||||
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Ein Angebot |
19
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT-MODULE | IGBT Silicon Modules | Econo 3 | + 150 C | 5.15 W | 3-Phase | 1200 V | 2.1 V | 100 A | 100 nA | |||
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Ein Angebot |
27
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT 1200V 300A | IGBT Silicon Modules | 62 mm | + 150 C | Tray | 1600 W | Dual | 1200 V | 2.1 V | 450 A | 400 nA | ||
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Ein Angebot |
109
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 580A | IGBT Silicon Modules | 62 mm | + 150 C | Bulk | 2400 W | Dual | 1200 V | 2.1 V | 580 A | 400 nA | ||
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Ein Angebot |
6
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 600A | IGBT Silicon Modules | PRIME2 | + 150 C | 3.35 kW | Dual | 1200 V | 2.1 V | 600 A | 400 nA | |||
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Ein Angebot |
14
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 900A | IGBT Silicon Modules | + 150 C | 4300 W | 1200 V | 2.1 V | 900 A | 400 nA | |||||
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Ein Angebot |
8
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Modules MIPAQ SERVE 1200V 200A | IGBT Silicon Modules | + 65 C | IGBT-Inverter | 1200 V | 2.1 V | |||||||
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Ein Angebot |
129
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | IGBT Modules 3-phase inverter 14A 600V short-circuit | IGBT Silicon Modules | SDIP-25 | + 150 C | Tube | 42 W | 3-Phase | 600 V | 2.1 V | 14 A | |||
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Ein Angebot |
5
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT-MODULE | IGBT Silicon Modules | PRIME2 | + 150 C | 5.1 kW | Dual | 1200 V | 2.1 V | 900 A | 400 nA | |||
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Ein Angebot |
2
Verfügbar auf Lager
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Microsemi | IGBT Modules Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency... | IGBT Silicon Carbide Modules | ISOTOP-4 | + 150 C | Bulk | 500 W | Single | 600 V | 2.1 V | 148 A | 300 nA | ||
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Ein Angebot |
2
Verfügbar auf Lager
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Microsemi | IGBT Modules Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency... | IGBT Silicon Carbide Modules | ISOTOP-4 | + 150 C | 500 W | Single | 600 V | 2.1 V | 148 A | 300 nA | |||
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Ein Angebot |
16
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 300A DUAL | IGBT Silicon Modules | 62 mm | + 125 C | 2500 W | Dual | 1200 V | 2.1 V | 625 A | 400 nA | |||
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Ein Angebot |
121
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | IGBT Modules 3-phase inverter 10A 600V short-circuit | IGBT Silicon Modules | SDIP-25 | + 125 C | Tube | 33 W | 3-Phase | 600 V | 2.1 V | 10 A | |||
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Ein Angebot |
10
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 400A SINGLE | IGBT Silicon Modules | 62 mm | + 125 C | 2500 W | Single Dual Emitter | 1200 V | 2.1 V | 625 A | 400 nA | |||
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Ein Angebot |
10
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT 1200V 450A | IGBT Silicon Modules | + 150 C | 2250 W | Dual | 1200 V | 2.1 V | 675 A | 400 nA | ||||
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Ein Angebot |
16
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 100A DUAL | IGBT Silicon Modules | 34MM | + 125 C | Tray | 835 W | Dual | 1200 V | 2.1 V | 205 A | 400 nA | ||
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siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 35A | IGBT Silicon Modules | EconoPACK 2A | + 125 C | Reel | 145 W | Hex | 1200 V | 2.1 V | 35 A | 400 nA | |||
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siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 150A DUAL | IGBT Silicon Modules | 62 mm | + 125 C | 1.25 kW | Dual | 1200 V | 2.1 V | 300 A | 400 nA | ||||
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siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 100A DUAL | IGBT Silicon Modules | 62 mm | + 125 C | 780 W | Dual | 1200 V | 2.1 V | 200 A | 400 nA | ||||
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siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 200A SINGLE | IGBT Silicon Modules | 62 mm | + 125 C | 1450 W | Single Dual Emitter | 1200 V | 2.1 V | 370 A | 400 nA | ||||
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siehe | Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | SP2 | + 100 C | 227 W | Quad | 1.2 kV | 2.1 V | 40 A | 150 nA | ||||
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siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 100A CHOPPER | IGBT Silicon Modules | 34MM | + 125 C | 830 W | Single | 1200 V | 2.1 V | 205 A | 400 nA | ||||
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Ein Angebot |
132
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | IGBT Modules IGBT & Power Bipolar | IGBT Silicon Modules | SDIP-25L | + 150 C | Bulk | 33 W | 3-Phase | 600 V | 2.1 V | 10 A | |||
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Ein Angebot |
119
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | IGBT Modules IGBT & Power Bipolar | IGBT Silicon Modules | SDIP-38L | + 150 C | Bulk | 44 W | 3-Phase Inverter | 600 V | 2.1 V | 15 A | - | ||
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siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 70A | IGBT Silicon Modules | EconoPACK 2A | + 125 C | Reel | 280 W | Hex | 1200 V | 2.1 V | 70 A | 400 nA | |||
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siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 100A 3-PHASE | IGBT Silicon Modules | EconoPACK 3A | + 125 C | 650 W | Hex | 1200 V | 2.1 V | 160 A | 400 nA | ||||
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siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 200A DUAL | IGBT Silicon Modules | 62 mm | + 125 C | 1550 W | Dual | 1200 V | 2.1 V | 420 A | 400 nA | ||||
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Ein Angebot |
10
Verfügbar auf Lager
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Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | SP-1 | + 150 C | 250 W | Dual | 600 V | 2.1 V | 65 A | 400 nA | |||
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Ein Angebot |
17
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Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | SOT-227-4 | + 150 C | Bulk | 416 W | 600 V | 2.1 V | 120 A | 150 nA |
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