- Configuration :
2 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Product | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Ein Angebot |
16
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 300A DUAL | IGBT Silicon Modules | 62 mm | + 125 C | 2500 W | Dual | 1200 V | 2.1 V | 625 A | 400 nA | |||
|
Ein Angebot |
10
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 400A SINGLE | IGBT Silicon Modules | 62 mm | + 125 C | 2500 W | Single Dual Emitter | 1200 V | 2.1 V | 625 A | 400 nA |
1 / 1 Seite