1 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Product | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
Ein Angebot |
27
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT 1200V 300A | IGBT Silicon Modules | 62 mm | + 150 C | Tray | 1600 W | Dual | 1200 V | 2.1 V | 450 A | 400 nA |
1 / 1 Seite
