- Gate-Emitter Leakage Current :
2 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Product | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | |
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12
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Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | SOT-227-4 | + 150 C | 378 W | Single | 600 V | 2.1 V | 93 A | 100 nA | ||
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49
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Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | SOT-227-4 | + 150 C | 378 W | Single | 600 V | 2.1 V | 93 A | +/- 100 nA |
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