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45 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
6,492
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET HiPERFET Id26 BVdass500 | 30 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 26 A | 230 mOhms | Enhancement | HyperFET | ||||
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Ein Angebot |
83
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET -40.0 Amps -500V 0.230 Rds | 20 V | Chassis Mount | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 500 V | - 40 A | 230 mOhms | ||||||
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Ein Angebot |
3,635
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7 | 20 V | SMD/SMT | VSON-4 | - 40 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 650 V | 10 A | 230 mOhms | 3 V to 4 V | 20 nC | Enhancement | CoolMOS | ||
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Ein Angebot |
9,201
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET 30V P-Chnl HDMOS | 12 V | SMD/SMT | SOT-26-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 1.5 A | 230 mOhms | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
2,500
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 16.1A DPAK-2 | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 650 V | 16.1 A | 230 mOhms | 2.5 V | 44 nC | Enhancement | CoolMOS | ||
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Ein Angebot |
1,261
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET N-ch 500 Volt 17Amp Zener SuperMESH | 30 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 17 A | 230 mOhms | 85 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
163
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 16.1A DPAK-2 | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 650 V | 16.1 A | 230 mOhms | 2.5 V | 45 nC | Enhancement | CoolMOS | ||
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Ein Angebot |
1,223
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 250V N-Channel QFET | 30 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 250 V | 16 A | 230 mOhms | Enhancement | QFET | ||||
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Ein Angebot |
1,061
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 500V NCH UNIFET MOSFET | 30 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 20 A | 230 mOhms | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
561
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 500V 20A NCH MOSFET | 30 V | Through Hole | TO-220FP-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 20 A | 230 mOhms | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
760
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 330V NCH MOSFET | TO-263-3 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 330 V | 25 A | 230 mOhms | ||||||||||
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Ein Angebot |
2,100
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -60V -8.8A DPAK-2 | +/- 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 8.83 A | 230 mOhms | - 4 V | - 13 nC | Enhancement | SIPMOS | ||
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Ein Angebot |
2,854
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET 100V N-Chnl UMOS | 20 V | SMD/SMT | SOT-26-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 1.9 A | 230 mOhms | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
80
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET -40.0 Amps -500V 0.230 Rds | 20 V | Through Hole | TO-264-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 500 V | - 40 A | 230 mOhms | ||||||
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Ein Angebot |
855
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET POWER MOSFET | 25 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 650 V | 16 A | 230 mOhms | 3 V | 29 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
50
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 38 Amps 1000V 0.21 Rds | 30 V | SMD/SMT | TO-264-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 1000 V | 29 A | 230 mOhms | Enhancement | HyperFET | ||||
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Ein Angebot |
315
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 500V N-CH MOSFET | 30 V | Through Hole | TO-220FP-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 20 A | 230 mOhms | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
190
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 500V NCH | 30 V | Through Hole | TO-3PN-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 22 A | 230 mOhms | Enhancement | UniFET | ||||
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Ein Angebot |
892
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -60V -8.8A TO220-3 | +/- 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 8.8 A | 230 mOhms | - 4 V | 15 nC | Enhancement | SIPMOS | ||
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Ein Angebot |
3,960
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET 20V N-Ch Enh FET 20Vdss 2.0A 7A 600mW | 12 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 20 V | 2 A | 230 mOhms | 500 mV | 2.3 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
31
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET -40.0 Amps -500V 0.230 Rds | 20 V | Through Hole | PLUS-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | Si | P-Channel | - 500 V | - 40 A | 230 mOhms | - 4 V | 205 nC | Enhancement | PolarP | |||
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Ein Angebot |
8,783
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET P-Ch 30V -1.5A SOT-363-3 | +/- 20 V | SMD/SMT | SOT-363-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 1.5 A | 230 mOhms | - 2 V | - 0.7 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
24
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds | 30 V | SMD/SMT | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 900 V | 21 A | 230 mOhms | 3.5 V to 6.5 V | 230 nC | HyperFET | |||
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Ein Angebot |
47
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds | 30 V | Through Hole | TO-3P-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 26 A | 230 mOhms | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
353
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -60V -8.8A DPAK-2 | +/- 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 8.83 A | 230 mOhms | - 4 V | - 13 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
369
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -60V -8.8A TO220-3 | +/- 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 8.8 A | 230 mOhms | - 4 V | 15 nC | Enhancement | |||
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siehe | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 16.1A DPAK-2 | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 650 V | 16.1 A | 230 mOhms | 2.5 V | 44 nC | Enhancement | CoolMOS | |||
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siehe | ROHM Semiconductor | MOSFET TRANS MOSFET NCH 600V 15A 3PIN | 30 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 15 A | 230 mOhms | 2.5 V | 50 nC | Enhancement | ||||
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siehe | ROHM Semiconductor | MOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF B... | 30 V | Through Hole | TO-3PF-3 | - 55 C | + 150 C | Bulk | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 15 A | 230 mOhms | 2.95 V | 50 nC | Enhancement | ||||
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siehe | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 16.1A DPAK-2 | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 650 V | 16.1 A | 230 mOhms | 2.5 V | 45 nC | Enhancement | CoolMOS |
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