- Vgs - Gate-Source Voltage :
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- Transistor Polarity :
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46 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
2,436
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 800V 5.7A DPAK-2 | 30 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 800 V | 5.7 A | 800 mOhms | 3 V | 31 nC | CoolMOS | ||||
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Ein Angebot |
1,260
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 800 V 0.76 Ohm 4.5 A Zener-protec | 30 V | SMD/SMT | PowerFLAT-5x6-VHV-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 800 V | 4.5 A | 800 mOhms | 4 V | 16.5 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
599
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET POWER MOSFET | 30 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 950 V | 8 A | 800 mOhms | 4 V | 22 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
1,323
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 950V .65Ohm typ 8A Zener-protected | 30 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 950 V | 8 A | 800 mOhms | 4 V | 22 nC | |||||
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Ein Angebot |
11,405
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET 28V Industrial Relay Inductive Load | 12 V | SMD/SMT | SC-70-6 | - 40 C | + 125 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 28 V | 150 mA | 800 mOhms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
4,520
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET N-Ch 200V 4.6A 0.8OHM | 30 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 200 V | 4.6 A | 800 mOhms | |||||||
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Ein Angebot |
3,445
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 100 Volt 1 Amp | 20 V | SMD/SMT | SOT-223-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 1 A | 800 mOhms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
950
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 950V 0.65Ohm typ 8A Zener-protect | 30 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 950 V | 8 A | 800 mOhms | 4 V | 22 nC | |||||
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Ein Angebot |
397
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 950V .65Ohm typ 8A Zener-protected | 30 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 950 V | 8 A | 800 mOhms | 4 V | 22 nC | |||||
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Ein Angebot |
1,581
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET 28V Industrial Relay Inductive Load | 12 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 40 C | + 125 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 28 V | 150 mA | 800 mOhms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
2,175
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 150V N-Channel QFET | 25 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 150 V | 4.3 A | 800 mOhms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
3,094
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 200V N-Channel A-FET | 20 V | SMD/SMT | SOT-223-4 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 200 V | 1.13 A | 800 mOhms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
1,637
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 200V N Chanel MOSFET | 30 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 200 V | 4.5 A | 800 mOhms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
839
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series | 30 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 9 A | 800 mOhms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
443
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 5.6A TO220FP-3 | 20 V | Through Hole | TO-220FP-3 | - 40 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 5.6 A | 800 mOhms | 2.5 V | 17.2 nC | Enhancement | CoolMOS | |||
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Ein Angebot |
537
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 900V 6.9A TO220FP-3 CoolMOS C3 | 20 V | Through Hole | TO-220FP-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 900 V | 6.9 A | 800 mOhms | 42 nC | Enhancement | CoolMOS | ||||
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Ein Angebot |
628
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 900V 6.9A TO220-3 CoolMOS C3 | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 900 V | 6.9 A | 800 mOhms | Enhancement | CoolMOS | |||||
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Ein Angebot |
3,950
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET 12 P-Ch Enh FET 8 VGS 55.4pF 0.84nC | 8 V | SMD/SMT | X2-DFN0806-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 12 V | - 20 mA | 800 mOhms | - 1 V | 0.84 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
496
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 900V 6.9A I2PAK-3 CoolMOS C3 | 20 V | TO-262-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 900 V | 6.9 A | 800 mOhms | Enhancement | CoolMOS | ||||||
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Ein Angebot |
75
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 8 Amps 500V 0.8 Ohm Rds | 30 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 8 A | 800 mOhms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
24
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 4.3A TO220FP-3 CoolMOS CE | 20 V | Through Hole | TO-220FP-3 | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 4.3 A | 800 mOhms | 10.5 nC | CoolMOS | ||||||
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Ein Angebot |
42
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET POWER MOSFET N-CHANNEL 500V 8A | 30 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 8 A | 800 mOhms | 5.5 V | 20 nC | Enhancement | PolarHV | |||
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Ein Angebot |
7,963
Verfügbar auf Lager
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ROHM Semiconductor | MOSFET TRNSISTR DUAL MOSFET | 8 V | SMD/SMT | SOT-563-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 20 V | 200 mA | 800 mOhms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
945
Verfügbar auf Lager
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Central Semiconductor | MOSFET N-Ch 800V LR FET 6.0A 2.8nC 0.8Ohm | 30 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 800 V | 6 A | 800 mOhms | 2 V | 24.3 nC | Enhancement | UltraMOS | |||
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Ein Angebot |
21,228
Verfügbar auf Lager
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ROHM Semiconductor | MOSFET 1.2V Drive Nch MOSFET | 8 V | SMD/SMT | SOT-416FL-3 | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 20 V | 200 mA | 800 mOhms | 300 mV | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
3,709
Verfügbar auf Lager
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ROHM Semiconductor | MOSFET Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A | 8 V | SMD/SMT | SOT-323FL-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 20 V | 200 mA | 800 mOhms | 300 mV | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
2,995
Verfügbar auf Lager
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ROHM Semiconductor | MOSFET P Chan-45V+/-0.7A 4V Drive | 20 V | SMD/SMT | SOT-353T-5 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 25 V | - 700 mA | 800 mOhms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
1,325
Verfügbar auf Lager
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ROHM Semiconductor | MOSFET Sm Signal, Sw MOSFET N Chan, 20V, 0.2A | SMD/SMT | SOT-23-3 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 20 V | 200 mA | 800 mOhms | ||||||||||
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Ein Angebot |
80
Verfügbar auf Lager
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ROHM Semiconductor | MOSFET 1.2V Drive Pch Si MOSFET | +/- 10 V | SMD/SMT | SOT-416FL-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 200 mA | 800 mOhms | - 1 V | 1.4 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
40
Verfügbar auf Lager
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Microsemi | MOSFET Power MOSFET - MOS8 | 30 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | Si | N-Channel | 800 V | 13 A | 800 mOhms | 4 V | 80 nC | Enhancement |
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