- Vgs - Gate-Source Voltage :
- Mounting Style :
- Package / Case :
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- 64 A (1)
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Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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19,249
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 30V P-Channel PowerTrench | 25 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 40 A | 20 mOhms | Enhancement | PowerTrench | |||||
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Ein Angebot |
5,827
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Infineon / IR | MOSFET Automotive MOSFET P 75A 120nC D2Pak | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 55 V | - 70 A | 20 mOhms | - 4 V | 120 nC | |||||
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5,467
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Fairchild Semiconductor | MOSFET -30V P-Channel PowerTrench | 25 V | SMD/SMT | Power-33-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 8.5 A | 20 mOhms | Enhancement | PowerTrench | |||||
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Ein Angebot |
5,962
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Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CHAN -20V -9.4A | SMD/SMT | MicroFET-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 9.4 A | 20 mOhms | PowerTrench | |||||||
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7,868
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Infineon Technologies | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms 30nC | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 10 A | 20 mOhms | 30 nC | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
4,979
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 30V 9A N-Channel PowerTrench | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 9 A | 20 mOhms | Enhancement | PowerTrench | |||||
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4,980
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Fairchild Semiconductor | MOSFET SO-8 DUAL N-CH | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 5.5 A | 20 mOhms | Enhancement | PowerTrench SyncFET | |||||
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14,500
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Fairchild Semiconductor | MOSFET PT8P 20_8V from vanguard | 8 V | SMD/SMT | Power-33-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 56 A | 20 mOhms | - 400 mV | 44 nC | Enhancement | PowerTrench | |||
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6,144
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET P-Channel PowerTrench MOSFET | SMD/SMT | Power-56-8 | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 9 A | 20 mOhms | PowerTrench | ||||||||
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Ein Angebot |
5,870
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET | SMD/SMT | Power-33-8 | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 18 A | 20 mOhms | 7.5 nC, 15.7 nC | PowerTrench SyncFET | |||||||
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3,755
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2 | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 40 A | 20 mOhms | 1.2 V | 21 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
5,356
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Fairchild Semiconductor | MOSFET SO-8 N-CH 60V | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 8 A | 20 mOhms | Enhancement | PowerTrench | |||||
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Ein Angebot |
2,423
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Fairchild Semiconductor | MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode | 16 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 65 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 48 A | 20 mOhms | Enhancement | ||||||
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2,173
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 150V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 150 V | 50 A | 20 mOhms | 4 V | 31 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
1,779
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 200V 76A 20mOhm 100nC Qg | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 200 V | 76 A | 20 mOhms | 100 nC | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
1,268
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Fairchild Semiconductor | MOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 150 V | 110 A | 20 mOhms | 4 V | 95 nC | PowerTrench | |||||
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4,557
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 35 A | 20 mOhms | 1.2 V | 39 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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4,624
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Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms 30nC | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 10 A | 20 mOhms | 1 V | 30 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
3,730
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 49A 20mOhm 40.7nCAC | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 49 A | 20 mOhms | 40.7 nC | ||||||||
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Ein Angebot |
4,425
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2 | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 40 A | 20 mOhms | 1.2 V | 21 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
7,438
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Nexperia | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | 15 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 48 A | 20 mOhms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
4,788
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Nexperia | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 54 A | 20 mOhms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
9,975
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Nexperia | MOSFET TAPE13 MOSFET | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 13.8 A | 20 mOhms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
3,217
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 30V SinGLE P-Ch | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 8.8 A | 20 mOhms | Enhancement | PowerTrench | |||||
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Ein Angebot |
2,755
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 60V N-CHAN PwrTrench 60V 36A 26mOhm | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 36 A | 20 mOhms | ||||||||
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Ein Angebot |
1,570
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 55 V | - 74 A | 20 mOhms | 120 nC | ||||||||
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Ein Angebot |
1,022
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Infineon Technologies | MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 20mOhms 120nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 55 V | - 74 A | 20 mOhms | 120 nC | Enhancement | |||||
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC | SMD/SMT | TO-252-3 | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 55 V | - 70 A | 20 mOhms | - 4 V | 180 nC | |||||||
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Ein Angebot |
1,021
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 20mOhms 120nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 55 V | - 74 A | 20 mOhms | - 2 V to - 4 V | 180 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
1,873
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 30 Volt 30 Amp | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 65 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 30 A | 20 mOhms | Enhancement |
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