- Mounting Style :
- Minimum Operating Temperature :
- Maximum Operating Temperature :
- Number of Channels :
- Transistor Polarity :
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage :
- Id - Continuous Drain Current :
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- - 10 A (1)
- - 27 A (1)
- - 70 A (1)
- - 74 A (7)
- - 8 A (1)
- - 8.8 A (1)
- 10 A (4)
- 106 A (1)
- 12.4 A (2)
- 120 A (1)
- 13.8 A (1)
- 140 A (1)
- 20 A (1)
- 23 A (1)
- 28 A (2)
- 30 A (2)
- 35 A (2)
- 40 A (2)
- 49 A (1)
- 5.5 A (1)
- 50 A (2)
- 54 A (2)
- 6 A (1)
- 6.4 A (1)
- 6.5 A (1)
- 63 A (1)
- 64 A (1)
- 7 A (2)
- 70 A (1)
- 75 A (4)
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57 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
5,827
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET Automotive MOSFET P 75A 120nC D2Pak | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 55 V | - 70 A | 20 mOhms | - 4 V | 120 nC | |||||
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Ein Angebot |
7,868
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms 30nC | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 10 A | 20 mOhms | 30 nC | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
4,979
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 30V 9A N-Channel PowerTrench | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 9 A | 20 mOhms | Enhancement | PowerTrench | |||||
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Ein Angebot |
4,980
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET SO-8 DUAL N-CH | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 5.5 A | 20 mOhms | Enhancement | PowerTrench SyncFET | |||||
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Ein Angebot |
3,755
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2 | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 40 A | 20 mOhms | 1.2 V | 21 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
5,356
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET SO-8 N-CH 60V | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 8 A | 20 mOhms | Enhancement | PowerTrench | |||||
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Ein Angebot |
2,173
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 150V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 150 V | 50 A | 20 mOhms | 4 V | 31 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
1,779
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 200V 76A 20mOhm 100nC Qg | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 200 V | 76 A | 20 mOhms | 100 nC | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
4,557
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 35 A | 20 mOhms | 1.2 V | 39 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
4,624
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms 30nC | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 10 A | 20 mOhms | 1 V | 30 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
3,730
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 49A 20mOhm 40.7nCAC | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 49 A | 20 mOhms | 40.7 nC | ||||||||
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Ein Angebot |
4,425
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2 | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 40 A | 20 mOhms | 1.2 V | 21 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
4,788
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 54 A | 20 mOhms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
9,975
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET TAPE13 MOSFET | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 13.8 A | 20 mOhms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
3,217
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 30V SinGLE P-Ch | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 8.8 A | 20 mOhms | Enhancement | PowerTrench | |||||
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Ein Angebot |
1,570
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 55 V | - 74 A | 20 mOhms | 120 nC | ||||||||
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Ein Angebot |
1,022
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 20mOhms 120nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 55 V | - 74 A | 20 mOhms | 120 nC | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
1,021
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 20mOhms 120nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 55 V | - 74 A | 20 mOhms | - 2 V to - 4 V | 180 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
1,873
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 30 Volt 30 Amp | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 65 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 30 A | 20 mOhms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
5,255
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET FET BVDSS 31V 40V N-Ch 8A 28Vgs 1060pF | 20 V | SMD/SMT | U-DFN2020-E-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 8 A | 20 mOhms | 2.4 V | 19.1 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
3,968
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8 30V 8A TR 0.020R | 20 V | SMD/SMT | SOIC-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 6.4 A | 20 mOhms | 7.7 nC | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
2,306
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET N-channel 60 V | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 28 A | 20 mOhms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
341
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET AUTO -55V 1 P-CH HEXFET 20mOhms | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 55 V | - 74 A | 20 mOhms | 120 nC | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
741
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET P-Ch Enh Mode -30V Low Rdson -20Vgss | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 27 A | 20 mOhms | - 1 V | 22 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
579
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 30 A | 20 mOhms | 40 nC | ||||||
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Ein Angebot |
119
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 150V 76A | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | Si | N-Channel | 150 V | 76 A | 20 mOhms | 4.5 V | 97 nC | Enhancement | TrenchT2, HiperFET | ||||
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Ein Angebot |
1,237
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CHAN ENHNCMNT MODE | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 10 A | 20 mOhms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
215
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET Auto Q101 -55V P-Ch HEXFET Power MOSFET | 20 V | Through Hole | TO-262-3 | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 55 V | - 74 A | 20 mOhms | 120 nC | |||||||
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Ein Angebot |
1,286
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 40Vdss 20Vgss | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 7 A | 20 mOhms | 3 V | 19.1 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
1,182
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 35 A | 20 mOhms | 1.2 V | 39 nC | Enhancement |
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