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55 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
2,879
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 30V N-Channel PowerTrench | 20 V | SMD/SMT | Power-3x45-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 30 A | 7.5 mOhms | 20 nC, 43 nC | Power Stage PowerTrench SyncFet | |||||
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Ein Angebot |
3,501
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET SO-8 N-CH 20V | 8 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 20 V | 15 A | 7.5 mOhms | Enhancement | PowerTrench | |||||
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Ein Angebot |
2,102
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 25V 20A 7.5mOhm N-Ch PowerTrench | SMD/SMT | Power-56-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 25 V | 40 A | 7.5 mOhms | 1.7 V | PowerTrench | ||||||
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Ein Angebot |
1,006
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET N-Channel PowerTrench | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 80 A | 7.5 mOhms | Enhancement | PowerTrench | |||||
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Ein Angebot |
137
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 230A 200V | 20 V | Through Hole | TO-264-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 200 V | 230 A | 7.5 mOhms | |||||||
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Ein Angebot |
249
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET TrenchP Power MOSFETs | 15 V | Through Hole | TO-264-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | Si | P-Channel | - 100 V | - 210 A | 7.5 mOhms | - 4.5 V | 740 nC | Enhancement | TrenchP | ||||
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Ein Angebot |
1,787
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 75V 142A 7.5mOhm 210nC | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 75 V | 142 A | 7.5 mOhms | 210 nC | ||||||||
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Ein Angebot |
502
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 230A 200V | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 200 V | 230 A | 7.5 mOhms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
8,413
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 40A DPAK-2 | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 40 A | 7.5 mOhms | 15 nC | OptiMOS | |||||
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Ein Angebot |
9,935
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 48A TDSON-8 OptiMOS 3M | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 48 A | 7.5 mOhms | 1 V | 24 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
814
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 100V/20V Nch 2xCool PowerTrench MOSFET | 20 V | SMD/SMT | DualCool-56-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 14.5 A | 7.5 mOhms | 44 nC | PowerTrench | |||||
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Ein Angebot |
490
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET TO-247 / FDH3632 | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 80 A | 7.5 mOhms | Enhancement | PowerTrench | |||||
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Ein Angebot |
834
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 75 Volt 120 Amp | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 75 V | 120 A | 7.5 mOhms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
5,092
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 47A TDSON-8 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 48 A | 7.5 mOhms | 1 V | 18 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
68
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds | 20 V | Chassis Mount | SOT-227-4 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 200 A | 7.5 mOhms | Enhancement | HyperFET | |||||
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Ein Angebot |
1,718
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH -30V VBR 1KV 2.18W PD Min RDS | 20 V | SMD/SMT | POWERDI5060-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 36 A | 7.5 mOhms | - 2.1 V | 126.2 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
1,149
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 94A 7.5mOhm 63nC | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 94 A | 7.5 mOhms | 63 nC | ||||||||
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Ein Angebot |
770
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 44 A | 7.5 mOhms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
4,441
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET Pwr MOSFET 30V 38A 9.4mOhm SGL N-CH | 20 V | SMD/SMT | WDFN-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 38 A | 7.5 mOhms | 1.3 V | 15..2 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
1,362
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 79 A | 7.5 mOhms | 46 nC | ||||||||
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Ein Angebot |
1,011
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms 63nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 91 A | 7.5 mOhms | 63 nC | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
1,104
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 140A 50.7nC 5.5mOhm LogLvAB | 16 V | Through Hole | TO-220-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 140 A | 7.5 mOhms | 50.7 nC | ||||||||
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Ein Angebot |
819
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET N-channel 80 V, 6.4 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power M... | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | 1 Channel | Si | N-Channel | 80 V | 80 A | 7.5 mOhms | 2.5 V | 46.8 nC | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
453
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET MOSFT 55V 94A 7.5mOhm 63nC | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 94 A | 7.5 mOhms | 63 nC | ||||||||
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Ein Angebot |
611
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 94 A | 7.5 mOhms | 63 nC | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
498
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 91 A | 7.5 mOhms | 63 nC | ||||||||
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Ein Angebot |
2,606
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET NFET 25V 65A 0.0075R DPAK | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 25 V | 13 A | 7.5 mOhms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
32
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET P-Channel: Standard MOSFET | 15 V | Through Hole | PLUS-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | Si | P-Channel | - 100 V | - 210 A | 7.5 mOhms | - 4.5 V | 740 nC | Enhancement | TrenchP | ||||
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Ein Angebot |
384
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms | 20 V | Through Hole | TO-262-3 | - 55 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 94 A | 7.5 mOhms | 63 nC | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
20
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 200 A | 7.5 mOhms | Enhancement | HyperFET |
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