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- Maximum Operating Temperature :
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20 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
137
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IXYS | MOSFET 230A 200V | 20 V | Through Hole | TO-264-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 200 V | 230 A | 7.5 mOhms | |||||||
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Ein Angebot |
249
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET TrenchP Power MOSFETs | 15 V | Through Hole | TO-264-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | Si | P-Channel | - 100 V | - 210 A | 7.5 mOhms | - 4.5 V | 740 nC | Enhancement | TrenchP | ||||
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Ein Angebot |
1,787
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 75V 142A 7.5mOhm 210nC | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 75 V | 142 A | 7.5 mOhms | 210 nC | ||||||||
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Ein Angebot |
502
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 230A 200V | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 200 V | 230 A | 7.5 mOhms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
490
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Fairchild Semiconductor | MOSFET TO-247 / FDH3632 | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 80 A | 7.5 mOhms | Enhancement | PowerTrench | |||||
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Ein Angebot |
834
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STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 75 Volt 120 Amp | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 75 V | 120 A | 7.5 mOhms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
1,362
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 79 A | 7.5 mOhms | 46 nC | ||||||||
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Ein Angebot |
1,104
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 140A 50.7nC 5.5mOhm LogLvAB | 16 V | Through Hole | TO-220-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 140 A | 7.5 mOhms | 50.7 nC | ||||||||
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Ein Angebot |
819
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STMicroelectronics | MOSFET N-channel 80 V, 6.4 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power M... | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | 1 Channel | Si | N-Channel | 80 V | 80 A | 7.5 mOhms | 2.5 V | 46.8 nC | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
453
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Infineon / IR | MOSFET MOSFT 55V 94A 7.5mOhm 63nC | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 94 A | 7.5 mOhms | 63 nC | ||||||||
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Ein Angebot |
611
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Infineon Technologies | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 94 A | 7.5 mOhms | 63 nC | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
32
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IXYS | MOSFET P-Channel: Standard MOSFET | 15 V | Through Hole | PLUS-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | Si | P-Channel | - 100 V | - 210 A | 7.5 mOhms | - 4.5 V | 740 nC | Enhancement | TrenchP | ||||
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Ein Angebot |
384
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Infineon / IR | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms | 20 V | Through Hole | TO-262-3 | - 55 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 94 A | 7.5 mOhms | 63 nC | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
20
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IXYS | MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 200 A | 7.5 mOhms | Enhancement | HyperFET | |||||
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Ein Angebot |
19
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IXYS | MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds | 20 V | Through Hole | TO-264-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 200 A | 7.5 mOhms | 5 V | 235 nC | Enhancement | Polar, HiPerFET | |||
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Ein Angebot |
3,192
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 150V NChan PwrTrench | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | Si | N-Channel | 150 V | 130 A | 7.5 mOhms | 4 V | 77 nC | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
797
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 80 A | 7.5 mOhms | Enhancement | ||||||
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siehe | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 30 Volt 70 Amp | 18 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 70 A | 7.5 mOhms | Enhancement | |||||||
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218
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Nexperia | MOSFET N-Channel MOSFET | Through Hole | TO-220-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 130 A | 7.5 mOhms | 2.45 V | 175 nC | ||||||||
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siehe | IXYS | MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds | 20 V | Through Hole | TO-264-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 200 A | 7.5 mOhms | 5 V | 240 nC | Enhancement | PolarHT |
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