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19 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
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Ein Angebot |
2,214
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 430V LOW-VCEON DISCRETE IGBT | SMD/SMT | D-PAK-3 | + 150 C | Tube | 125 W | Single | 430 V | 1.4 V | 20 A | 10 V | ||||
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Ein Angebot |
2,277
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar | SMD/SMT | DPAK-3 | + 175 C | Reel | 125 W | Single | 390 V | 1.35 V | 625 uA | 16 V | ||||
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Ein Angebot |
264
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V UltraFast IGBT 40A 250W 75nC | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 125 W | 600 V | 1.9 V | 40 A | 100 nA | 20 V | ||||
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Ein Angebot |
606
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 430V LO-VCEON DISCRETE IGBT | Through Hole | TO-220-3 | + 150 C | Tube | 125 W | Single | 430 V | 1.4 V | 20 A | 10 V | ||||
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Ein Angebot |
315
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V UltraFast IGBT 40A 250W 75nC | Through Hole | TO-247AD-3 | + 175 C | Tube | 125 W | 600 V | 1.9 V | 40 A | 100 nA | 20 V | ||||
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Ein Angebot |
511
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5 | Through Hole | TO-220-3 | + 175 C | Tube | 125 W | Single | 650 V | 1.65 V | 42 A | 100 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
782
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5 | Through Hole | TO-220-3 | + 175 C | Tube | 125 W | Single | 650 V | 1.65 V | 42 A | 100 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
318
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5 | Through Hole | TO-220-3 | + 175 C | Tube | 125 W | Single | 650 V | 1.6 V | 42 A | 100 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
189
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5 | Through Hole | TO-220-3 | + 175 C | Tube | 125 W | Single | 650 V | 1.6 V | 42 A | 100 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
88
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | IGBT Transistors 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT | Through Hole | TO-220-3 | + 150 C | Tube | 125 W | Single | 600 V | +/- 20 V | ||||||
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Ein Angebot |
19
Verfügbar auf Lager
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IXYS | IGBT Transistors 35 Amps 600V | Through Hole | ISOPLUS247-3 | + 150 C | Tube | 125 W | Single | 600 V | 2.2 V | 38 A | 500 nA | +/- 20 V | |||
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Ein Angebot |
4,996
Verfügbar auf Lager
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Littelfuse | IGBT Transistors NGD8201ANT4G GEN4 IGBT | SMD/SMT | DPAK | + 175 C | Reel | 125 W | Single | 440 V | 1.5 V | 20 A | 300 uA | 15 V | |||
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Ein Angebot |
3,020
Verfügbar auf Lager
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Littelfuse | IGBT Transistors 20A 350V IGBT N-CHANNEL | Through Hole | DPAK | + 175 C | Reel | 125 W | 390 V | 20 A | 15 V | ||||||
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siehe | IXYS | IGBT Transistors XPT 900V IGBT GenX3 XPT IGBT | Through Hole | TO-220-3 | + 175 C | Tube | 125 W | Single | 900 V | 2.15 V | 20 A | 100 nA | 30 V | ||||
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siehe | IXYS | IGBT Transistors XPT 900V IGBT GenX3 XPT IGBTs | Through Hole | TO-220-3 | + 175 C | Tube | 125 W | Single | 900 V | 2.15 V | 20 A | 100 nA | 30 V | ||||
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Ein Angebot |
2,480
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STMicroelectronics | IGBT Transistors Auto 390V IGBT Clamped 300mJ EAS | SMD/SMT | DPAK-3 | + 175 C | Reel | 125 W | Single | 425 V | 1.5 V | 625 uA | 16 V | ||||
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Ein Angebot |
85
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Infineon / IR | IGBT Transistors 1200V IGBT GEN8 | Through Hole | TO-247AC-3 | + 150 C | Tube | 125 W | Single | 1200 V | 1.7 V | 30 A | 100 nA | 30 V | |||
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Ein Angebot |
267
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | IGBT Transistors 430V Low-Vceon | Through Hole | TO-262-3 | Tube | 125 W | Single | 430 V | 1.4 V | 20 A | 10 V | |||||
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Ein Angebot |
105
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | IGBT Transistors 1200V IGBT GEN8 | Through Hole | TO-247AD-3 | + 150 C | Tube | 125 W | Single | 1200 V | 1.7 V | 30 A | 100 nA | 30 V |
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