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Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
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Ein Angebot |
2,277
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STMicroelectronics | IGBT Transistors IGBT & Power Bipolar | SMD/SMT | DPAK-3 | + 175 C | Reel | 125 W | Single | 390 V | 1.35 V | 625 uA | 16 V | |||
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Ein Angebot |
2,480
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | IGBT Transistors Auto 390V IGBT Clamped 300mJ EAS | SMD/SMT | DPAK-3 | + 175 C | Reel | 125 W | Single | 425 V | 1.5 V | 625 uA | 16 V |
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