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| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
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Ein Angebot |
511
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Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5 | Through Hole | TO-220-3 | + 175 C | Tube | 125 W | Single | 650 V | 1.65 V | 42 A | 100 nA | 20 V | ||
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Ein Angebot |
782
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5 | Through Hole | TO-220-3 | + 175 C | Tube | 125 W | Single | 650 V | 1.65 V | 42 A | 100 nA | 20 V | ||
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Ein Angebot |
318
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5 | Through Hole | TO-220-3 | + 175 C | Tube | 125 W | Single | 650 V | 1.6 V | 42 A | 100 nA | 20 V | ||
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Ein Angebot |
189
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5 | Through Hole | TO-220-3 | + 175 C | Tube | 125 W | Single | 650 V | 1.6 V | 42 A | 100 nA | 20 V |
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