- Vgs - Gate-Source Voltage :
- Minimum Operating Temperature :
- Number of Channels :
- Transistor Polarity :
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage :
- Id - Continuous Drain Current :
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- - 1.5 A (2)
- - 1.6 A (1)
- - 197 mA (1)
- - 2 A (1)
- - 2.3 A (1)
- - 3 A (3)
- - 3.4 A (1)
- - 3.5 A (2)
- - 3.7 A (1)
- - 4 A (3)
- - 4.6 A (1)
- - 5 A (2)
- - 5.3 A (1)
- - 5.8 A (1)
- - 550 mA (1)
- - 6 A (4)
- 1.34 A, - 1.14 A (1)
- 1.9 A (3)
- 2 A (1)
- 2.5 A (1)
- 230 mA (1)
- 280 mA (1)
- 3 A (1)
- 3.1 A (1)
- 3.2 A (2)
- 3.3 A (1)
- 3.5 A (3)
- 305 mA (2)
- 4 A (2)
- 4.2 A, 4.2 A (1)
- 4.5 A (1)
- 4.6 A (2)
- 400 mA (1)
- 5.3 A (2)
- 5.4 A (1)
- 540 mA (1)
- 6 A (5)
- 6.5 A (1)
- 6.9 A (1)
- Rds On - Drain-Source Resistance :
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- 100 mOhms (2)
- 110 mOhms (1)
- 115 mOhms (1)
- 130 mOhms (1)
- 132 mOhms (1)
- 14 Ohms (1)
- 150 mOhms (3)
- 165 mOhms (1)
- 169 mOhms (1)
- 180 mOhms (1)
- 190 mOhms (1)
- 2 Ohms (2)
- 20 mOhms (1)
- 215 mOhms (1)
- 22 mOhms, 22 mOhms (1)
- 225 mOhms (1)
- 230 mOhms (3)
- 24 mOhms (1)
- 25 mOhms (1)
- 250 mOhms (2)
- 280 mOhms (1)
- 30 mOhms (1)
- 32 mOhms (1)
- 33 mOhms (2)
- 37 mOhms (1)
- 375 mOhms (1)
- 4 Ohms (1)
- 40 mOhms (2)
- 43 mOhms (3)
- 450 mOhms (1)
- 48 mOhms (1)
- 55 mOhms (1)
- 550 mOhms (1)
- 59 mOhms (1)
- 60 mOhms (3)
- 64 mOhms (1)
- 65 mOhms (2)
- 68 mOhms (1)
- 70 mOhms (2)
- 700 mOhms, 1.3 Ohms (1)
- 73 mOhms (1)
- 77 mOhms (1)
- 80 mOhms (2)
- 9.5 Ohms (1)
- 900 mOhms (1)
- 92 mOhms (1)
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage :
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68 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | |
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Ein Angebot |
145,738
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Diodes Incorporated | MOSFET Dual N-Channel | 8 V | SMD/SMT | SOT-26-6 | - 65 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 20 V | 540 mA | 550 mOhms | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
11,382
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Diodes Incorporated | MOSFET Dual N-Channel | 20 V | SMD/SMT | SOT-26-6 | - 65 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 50 V | 305 mA | 2 Ohms | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
5,591
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Diodes Incorporated | MOSFET 30V N Chnl UMOS | 20 V | SMD/SMT | SOT-26-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 4.6 A | 65 mOhms | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
9,201
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Diodes Incorporated | MOSFET 30V P-Chnl HDMOS | 12 V | SMD/SMT | SOT-26-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 1.5 A | 230 mOhms | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
25,956
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Diodes Incorporated | MOSFET 500mW -20Vdss | 8 V | SMD/SMT | SOT-26-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 550 mA | 900 mOhms | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
3,960
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Diodes Incorporated | MOSFET 100V P-Chanl UMOS | 20 V | SMD/SMT | SOT-26-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 100 V | - 1.6 A | 450 mOhms | Enhancement | ||||
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8,890
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ON Semiconductor | MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES | +/- 20 V | SMD/SMT | SOT-26-6 | + 150 C | Reel | Si | P-Channel | - 60 V | - 4 A | 77 mOhms | - 1.2 V | 14 nC | Enhancement | ||||
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2,854
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Diodes Incorporated | MOSFET 100V N-Chnl UMOS | 20 V | SMD/SMT | SOT-26-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 1.9 A | 230 mOhms | Enhancement | ||||
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4,563
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Diodes Incorporated | MOSFET 650mW 20V | 12 V | SMD/SMT | SOT-26-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 20 V | 2 A | 165 mOhms | 1 V | Enhancement | |||
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6,624
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Diodes Incorporated | MOSFET P-channel 1.25W | 12 V | SMD/SMT | SOT-26-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 4.6 A | 40 mOhms | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
4,492
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Diodes Incorporated | MOSFET 100V N-Chnl UMOS | 20 V | SMD/SMT | SOT-26-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 1.9 A | 250 mOhms | Enhancement | ||||
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11,659
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ON Semiconductor | MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES | SOT-26-6 | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 5 A | 59 mOhms | |||||||||
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Ein Angebot |
7,391
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Diodes Incorporated | MOSFET DUAL N-CHANNEL | 8 V | SMD/SMT | SOT-26-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 20 V | 6.5 A | 24 mOhms | 0.9 V | 8.8 nC | Enhancement | ||
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2,757
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Diodes Incorporated | MOSFET N Channel | 12 V | SMD/SMT | SOT-26-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 20 V | 4.6 A | 100 mOhms | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
4,263
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Diodes Incorporated | MOSFET 30V N-Chnl UMOS | 20 V | SMD/SMT | SOT-26-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 3 A | 180 mOhms | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
5,865
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ON Semiconductor | MOSFET PCH 1.8V DRIVE SERIE | +/- 12 V | SMD/SMT | SOT-26-6 | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 6 A | 30 mOhms | - 1.4 V | 10.5 nC | Enhancement | |||
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3,023
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Diodes Incorporated | MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 80mOhm | 20 V | SMD/SMT | SOT-26-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 2.5 A | 150 mOhms | 1 V | 5.8 nC | Enhancement | ||
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5,311
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ON Semiconductor | MOSFET SWITCHING DEVICE | 20 V | SMD/SMT | SOT-26-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 35 V | 6 A | 37 mOhms | |||||
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1,826
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Diodes Incorporated | MOSFET P-Chnl 250V | 40 V | SMD/SMT | SOT-26-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 250 V | - 197 mA | 14 Ohms | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
1,438
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Diodes Incorporated | MOSFET 30V P-Chnl UMOS | 20 V | SMD/SMT | SOT-26-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 4 A | 110 mOhms | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
1,619
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Diodes Incorporated | MOSFET 60V N-Chnl UMOS | 20 V | SMD/SMT | SOT-26-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 3.5 A | 150 mOhms | Enhancement | ||||
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305
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Diodes Incorporated | MOSFET Dual P-Channel | 12 V | SMD/SMT | SOT-26-6 | - 65 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 2 A | 150 mOhms | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
2,380
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Diodes Incorporated | MOSFET P-Channel 1.25W | 20 V | SMD/SMT | SOT-26-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 5.8 A | 65 mOhms | - 2.1 V | 10.1 nC | Enhancement | ||
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Ein Angebot |
2,200
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Diodes Incorporated | MOSFET 20V P-Chnl HDMOS | 12 V | SMD/SMT | SOT-26-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 2.3 A | 375 mOhms | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
1,989
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ON Semiconductor | MOSFET SWITCHING DEVICE | 20 V | SMD/SMT | SOT-26-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 6 A | 43 mOhms | 13 nC | ||||
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3,547
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Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS | 6 V | SMD/SMT | SOT-26-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel, P-Channel | 20 V, 20 V | 1.34 A, - 1.14 A | 700 mOhms, 1.3 Ohms | 1 V | 736.6 pC | Enhancement | ||
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5,956
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH Pwr MOSFET 30V 6A 43 mOhm | SOT-26-6 | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 6 A | 43 mOhms | |||||||||
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4,886
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Diodes Incorporated | MOSFET Dual N-Channel | 20 V | SMD/SMT | SOT-26-6 | - 65 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 305 mA | 4 Ohms | 1.4 V | 304 nC | Enhancement | ||
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2,879
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ON Semiconductor | MOSFET DIODES | 20 V | SMD/SMT | SOT-26-6 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 3.5 A | 132 mOhms | 6.8 nC | ||||||
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5,515
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ON Semiconductor | MOSFET NCH 3.5A 60V 117MOHM CPH6 | 20 V | SMD/SMT | SOT-26-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 3.5 A | 92 mOhms | 1.2 V | 6.8 nC | Enhancement |
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