- Rds On - Drain-Source Resistance :
- Qg - Gate Charge :
- Ausgewählter Filter :
2 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | |
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Ein Angebot |
371
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STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 650V 0.014 Ohm Mdmesh M5 130A | 25 V | Through Hole | Max247-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 650 V | 130 A | 14 mOhms | 363 nC | ||||
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Ein Angebot |
596
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 200V 0.01 Ohm 130A STripFET II | 20 V | Through Hole | Max247-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 200 V | 130 A | 10 mOhms | 3 V | 338 nC |
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