- Vgs - Gate-Source Voltage :
- Transistor Polarity :
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage :
- Rds On - Drain-Source Resistance :
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage :
- Qg - Gate Charge :
- Ausgewählter Filter :
13 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Ein Angebot |
5,250
Verfügbar auf Lager
|
STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 30V 0.006 Ohm 11A STripFET VI Deep | 20 V | SMD/SMT | PowerFLAT-3.3x3.3-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 11 A | 6 mOhms | 1 V | 17 nC | ||||
|
Ein Angebot |
2,802
Verfügbar auf Lager
|
STMicroelectronics | MOSFET POWER MOSFET | 20 V | SMD/SMT | PowerFLAT-3.3x3.3-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 7 A | 35 mOhms | 4.5 V | 14 nC | Enhancement | |||
|
Ein Angebot |
2,867
Verfügbar auf Lager
|
STMicroelectronics | MOSFET POWER MOSFET | 20 V | SMD/SMT | PowerFLAT-3.3x3.3-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 6 A | 30 mOhms | 1 V | 12 nC | Enhancement | |||
|
Ein Angebot |
2,926
Verfügbar auf Lager
|
STMicroelectronics | MOSFET P-channel 40 V, 0.0175 Ohm typ., 8 A STripFET F6 Power M... | +/- 20 V | SMD/SMT | PowerFLAT-3.3x3.3-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 40 V | - 8 A | 20.5 mOhms | 1 V to 2.5 V | 22 nC | Enhancement | |||
|
Ein Angebot |
2,590
Verfügbar auf Lager
|
STMicroelectronics | MOSFET N-channel 30 V, 0.0027 Ohm typ., 23 A STripFET(TM) VII... | 20 V | SMD/SMT | PowerFLAT-3.3x3.3-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 23 A | 2.7 mOhms | 1.2 V | 13.7 nC | Enhancement | |||
|
Ein Angebot |
2,000
Verfügbar auf Lager
|
STMicroelectronics | MOSFET N-channel 60 V, 10 mOhm typ., 11 A STripFET F7 Power MO... | 20 V | SMD/SMT | PowerFLAT-3.3x3.3-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 11 A | 12 mOhms | 2 V | 17 nC | Enhancement | |||
|
Ein Angebot |
654
Verfügbar auf Lager
|
STMicroelectronics | MOSFET POWER MOSFET | 20 V | SMD/SMT | PowerFLAT-3.3x3.3-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 8 A | 20 Ohms | 4.5 V | 22 nC | Enhancement | |||
|
Ein Angebot |
998
Verfügbar auf Lager
|
STMicroelectronics | MOSFET N-channel 30 V 0.015 Ohm 9A STripFET V | 22 V | SMD/SMT | PowerFLAT-3.3x3.3-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 9 A | 19 mOhms | ||||||
|
Ein Angebot |
1,341
Verfügbar auf Lager
|
STMicroelectronics | MOSFET | +/- 20 V | SMD/SMT | PowerFLAT-3.3x3.3-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 9 A | 12 mOhms | - 1 V | 24 nC | Enhancement | |||
|
siehe | STMicroelectronics | MOSFET | 20 V | SMD/SMT | PowerFLAT-3.3x3.3-8 | - 55 C | + 150 C | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 36 A | 21 mOhms | 2 V | 8 nC | Enhancement | |||||
|
Ein Angebot |
2,878
Verfügbar auf Lager
|
STMicroelectronics | MOSFET POWER MOSFET | 20 V | SMD/SMT | PowerFLAT-3.3x3.3-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 4.5 A | 70 mOhms | 4.5 V | 7.8 nC | Enhancement | |||
|
Ein Angebot |
5,596
Verfügbar auf Lager
|
STMicroelectronics | MOSFET POWER MOSFET | 8 V | SMD/SMT | PowerFLAT-3.3x3.3-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | Si | P-Channel | - 20 V | - 9 A | 85 mOhms | 400 mV | 22 nC | |||||
|
siehe | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 40 V 9.1 mOhm 15 A STripFET V | 20 V | SMD/SMT | PowerFLAT-3.3x3.3-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 15 A | 9.7 Ohms | 1 V to 2.5 V | 12.9 nC |
1 / 1 Seite