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1 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Package / Case | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Tradename | |
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siehe | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 560V 7.6A I2PAK-3 | TO-262-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 7.6 A | 600 mOhms | CoolMOS |
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