- Mounting Style :
- Package / Case :
- Ausgewählter Filter :
2 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Qg - Gate Charge | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Ein Angebot |
12
Verfügbar auf Lager
|
Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 8.5nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 65 A | 11.8 mOhms | 8.5 nC | |||
|
Ein Angebot |
18
Verfügbar auf Lager
|
Infineon / IR | MOSFET MOSFT 30V 65A 8.5nC 8.4mOhm Qg log lvl | 20 V | Through Hole | TO-251-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 65 A | 11.8 mOhms | 8.5 nC |
1 / 1 Seite