- Package / Case :
- Maximum Operating Temperature :
- Transistor Polarity :
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage :
- Id - Continuous Drain Current :
- Rds On - Drain-Source Resistance :
- Channel Mode :
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16 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
307
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3 | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 34.6 A | 81 mOhms | 2.1 V | 200 nC | Enhancement | CoolMOS | |||
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Ein Angebot |
526
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET -140 Amps -50V 0.008 Rds | 15 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 50 V | - 140 A | 9 mOhms | - 4 V | 200 nC | Enhancement | TrenchP | |||
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Ein Angebot |
52
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 2500V 5A HV Power MOSFET | 30 V | Through Hole | PLUS-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 2500 V | 5 A | 8.8 Ohms | 2 V to 5 V | 200 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
54
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A | 30 V | Through Hole | TO-247-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 80 A | 65 mOhms | 200 nC | HyperFET | |||||||
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Ein Angebot |
52
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/50A | 30 V | Through Hole | TO-247-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 50 A | 72 mOhms | 200 nC | HyperFET | |||||||
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Ein Angebot |
301
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | Tube | Si | N-Channel | 60 V | 270 A | 2.1 mOhms | 200 nC | |||||||||
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Ein Angebot |
89
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3 | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 34.6 A | 81 mOhms | 2.1 V | 200 nC | Enhancement | CoolMOS | |||
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Ein Angebot |
41
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 1000 V | 10 A | 1.5 Ohms | 200 nC | Depletion | |||||
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Ein Angebot |
18
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET DIODE Id26 BVdass800 | 30 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 800 V | 25 A | 200 mOhms | 5 V | 200 nC | Enhancement | PolarHV, HiPerFET | |||
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Ein Angebot |
22
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A | 30 V | Through Hole | TO-264-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 80 A | 65 mOhms | 200 nC | HyperFET | |||||||
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Ein Angebot |
30
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 60V/270A TrenchT3 | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | SiC | N-Channel | 60 V | 270 A | 3.1 mOhms | 2 V | 200 nC | Enhancement | HiPerFET | |||
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Ein Angebot |
41
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 60V/270A TrenchT3 | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | SiC | N-Channel | 60 V | 270 A | 3.1 mOhms | 2 V | 200 nC | Enhancement | HiPerFET | |||
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Ein Angebot |
556
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET N-channel 650 V 0.033ohm 69A Mdmesh | 25 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 125 C | Tube | Si | N-Channel | 650 V | 69 A | 30 mOhms | 4 V | 200 nC | ||||||
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Ein Angebot |
90
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET -140 Amps -50V 0.008 Rds | 15 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 50 V | - 140 A | 9 mOhms | - 4 V | 200 nC | Enhancement | TrenchP | |||
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Ein Angebot |
399
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nCAB | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | Tube | Si | N-Channel | 60 V | 270 A | 2.1 mOhms | 200 nC | |||||||||
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Ein Angebot |
506
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC | 20 V | Through Hole | TO-262-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 270 A | 2 mOhms | 200 nC |
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