- Mounting Style :
- Maximum Operating Temperature :
- Transistor Polarity :
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage :
- Rds On - Drain-Source Resistance :
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40 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
90
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 60V/270A TrenchT3 | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 270 A | 3.1 mOhms | 2 V | 200 nC | Enhancement | HiPerFET | |||
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Ein Angebot |
7,873
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET N-CHANNEL 75 / 80 | 20 V | SMD/SMT | DirectFET-L8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 124 A | 3.5 mOhms | 2 V | 200 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
4,703
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms 200nC | 20 V | SMD/SMT | DirectFET-L8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 75 V | 160 A | 1.8 mOhms | 200 nC | Enhancement | Directfet | ||||
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Ein Angebot |
1,919
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 180A D2PAK-6 | 20 V | SMD/SMT | TO-263-7 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 180 A | 2 mOhms | 2 V | 200 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
307
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3 | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 34.6 A | 81 mOhms | 2.1 V | 200 nC | Enhancement | CoolMOS | |||
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Ein Angebot |
2,457
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 1.5mOhms 200nC | 20 V | SMD/SMT | DirectFET-L8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 200 A | 1.1 mOhms | 200 nC | Enhancement | Directfet | ||||
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Ein Angebot |
436
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 2.1mOhms 200nC | 20 V | SMD/SMT | TO-263-7 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 293 A | 1.5 mOhms | 4 V | 200 nC | |||||
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Ein Angebot |
1,076
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 180A D2PAK-6 | 20 V | SMD/SMT | TO-263-7 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 180 A | 2 mOhms | 2 V | 200 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
526
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET -140 Amps -50V 0.008 Rds | 15 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 50 V | - 140 A | 9 mOhms | - 4 V | 200 nC | Enhancement | TrenchP | |||
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Ein Angebot |
698
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 2.5mOhms 200nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 270 A | 2 mOhms | 200 nC | ||||||||
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Ein Angebot |
52
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 2500V 5A HV Power MOSFET | 30 V | Through Hole | PLUS-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 2500 V | 5 A | 8.8 Ohms | 2 V to 5 V | 200 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
346
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET 100V N-CH 142A 3.5 mOhm 200nC | 20 V | SMD/SMT | DirectFET-L8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 124 A | 2.8 mOhms | 2 V | 200 nC | Enhancement | Directfet | |||
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Ein Angebot |
89
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 270 A | 2 mOhms | 4 V | 200 nC | |||||
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Ein Angebot |
669
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET MOSFET N CH 60V 240A D2PAK | 20 V | SMD/SMT | TO-263-7 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 240 A | 1.6 mOhms | 3.7 V | 200 nC | StrongIRFET | ||||
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Ein Angebot |
54
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A | 30 V | Through Hole | TO-247-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 80 A | 65 mOhms | 200 nC | HyperFET | |||||||
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Ein Angebot |
10
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 2500V 5A HV Power MOSFET | 30 V | Screw Mount | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 2500 V | 5 A | 8.8 Ohms | 2 V to 5 V | 200 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
52
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/50A | 30 V | Through Hole | TO-247-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 50 A | 72 mOhms | 200 nC | HyperFET | |||||||
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Ein Angebot |
301
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | Tube | Si | N-Channel | 60 V | 270 A | 2.1 mOhms | 200 nC | |||||||||
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Ein Angebot |
89
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3 | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 34.6 A | 81 mOhms | 2.1 V | 200 nC | Enhancement | CoolMOS | |||
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Ein Angebot |
41
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 1000 V | 10 A | 1.5 Ohms | 200 nC | Depletion | |||||
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Ein Angebot |
19
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/63A | 30 V | Chassis Mount | SOT-227-4 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 63 A | 65 mOhms | 200 nC | HyperFET | |||||||
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Ein Angebot |
18
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET DIODE Id26 BVdass800 | 30 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 800 V | 25 A | 200 mOhms | 5 V | 200 nC | Enhancement | PolarHV, HiPerFET | |||
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Ein Angebot |
22
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A | 30 V | Through Hole | TO-264-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 80 A | 65 mOhms | 200 nC | HyperFET | |||||||
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Ein Angebot |
4
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 36 Amps 800V | 30 V | Chassis Mount | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 800 V | 39 A | 190 mOhms | 5 V | 200 nC | Enhancement | PolarHV, HiPerFET | |||
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Ein Angebot |
30
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 60V/270A TrenchT3 | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | SiC | N-Channel | 60 V | 270 A | 3.1 mOhms | 2 V | 200 nC | Enhancement | HiPerFET | |||
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Ein Angebot |
41
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 60V/270A TrenchT3 | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | SiC | N-Channel | 60 V | 270 A | 3.1 mOhms | 2 V | 200 nC | Enhancement | HiPerFET | |||
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Ein Angebot |
556
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET N-channel 650 V 0.033ohm 69A Mdmesh | 25 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 125 C | Tube | Si | N-Channel | 650 V | 69 A | 30 mOhms | 4 V | 200 nC | ||||||
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Ein Angebot |
530
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET MOSFT 60V 293A 2.1mOhm 200nC Qg | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 293 A | 1.5 mOhms | 200 nC | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
7,999
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET N-Ch 60V 1.1mOhm 200nC 2.9V Hexfet | 20 V | SMD/SMT | DirectFET-L8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 200 A | 1.1 mOhms | 2.9 V | 200 nC | Directfet | ||||
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Ein Angebot |
4,000
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET L8 | 20 V | SMD/SMT | DirectFET-L8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 124 A | 2.8 mOhms | 200 nC | Enhancement | Directfet |
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