- Qg - Gate Charge :
- Tradename :
- Ausgewählter Filter :
5 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Ein Angebot |
2,987
Verfügbar auf Lager
|
Infineon / IR | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 150 A | 5.3 mOhms | 120 nC | Enhancement | ||||||
|
Ein Angebot |
1,847
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T2 | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 70 A | 5.3 mOhms | 2 V | 32 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
|
Ein Angebot |
600
Verfügbar auf Lager
|
Infineon / IR | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 44 A | 5.3 mOhms | Enhancement | ||||||
|
Ein Angebot |
1,000
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T2 | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 70 A | 5.3 mOhms | 2 V | 32 nC | Enhancement | ||||
|
Ein Angebot |
157
Verfügbar auf Lager
|
Texas Instruments | MOSFET 100V, N-channel NexFET Pwr MOSFET | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 200 A | 5.3 mOhms | 2.6 V | 44 nC | NexFET |
1 / 1 Seite