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28 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
8,018
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 90 A | 5.3 mOhms | 2 V | 68 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
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Ein Angebot |
4,650
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 90 A | 5.3 mOhms | 2 V | 68 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
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Ein Angebot |
4,891
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 80V 100A TDSON-8 | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 80 V | 100 A | 5.3 mOhms | 2.2 V | 46 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
956
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Infineon / IR | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 160 A | 5.3 mOhms | 4 V | 120 nC | ||||
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Ein Angebot |
2,987
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 150 A | 5.3 mOhms | 120 nC | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
3,973
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms | 20 V | Through Hole | TO-262-3 | - 55 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 150 A | 5.3 mOhms | 120 nC | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
559
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET Smart Power Module | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 80 V | 120 A | 5.3 mOhms | 4.5 V | 65.4 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
706
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 133A 5.3mOhm 170nC | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 133 A | 5.3 mOhms | 170 nC | |||||||
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Ein Angebot |
1,115
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET MOSFT 55V 131A 5.3mOhm 170nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 131 A | 5.3 mOhms | 4 V | 170 nC | ||||
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Ein Angebot |
692
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 160A 5.3mOhm 120nCAC | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 160 A | 5.3 mOhms | 4 V | 120 nC | ||||
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Ein Angebot |
750
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms 170nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 131 A | 5.3 mOhms | 170 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
1,847
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T2 | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 70 A | 5.3 mOhms | 2 V | 32 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
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Ein Angebot |
600
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 44 A | 5.3 mOhms | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
771
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -40V -85A DPAK-2 OptiMOS-P2 | +/- 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 40 V | - 85 A | 5.3 mOhms | - 4 V | 89 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
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Ein Angebot |
407
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms 170nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 131 A | 5.3 mOhms | 170 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
1,000
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T2 | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 70 A | 5.3 mOhms | 2 V | 32 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
58
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 169 A | 5.3 mOhms | 170 nC | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
194
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TSDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 20 A | 5.3 mOhms | 1.2 V | 67 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
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Ein Angebot |
15
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -40V -85A DPAK-2 OptiMOS-P2 | +/- 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 40 V | - 85 A | 5.3 mOhms | - 4 V | 89 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
2,422
Verfügbar auf Lager
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Texas Instruments | MOSFET 30V,NCh NexFET Pwr MOSFET | 20 V | SMD/SMT | VSONP-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 100 A | 5.3 mOhms | 1.3 V | 8.3 nC | NexFET | |||
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Ein Angebot |
157
Verfügbar auf Lager
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Texas Instruments | MOSFET 100V, N-channel NexFET Pwr MOSFET | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 200 A | 5.3 mOhms | 2.6 V | 44 nC | NexFET | |||
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Ein Angebot |
378
Verfügbar auf Lager
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Texas Instruments | MOSFET 40V,N-Ch NexFET Pwr MOSFET | 20 V | SMD/SMT | VSONP-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 50 A | 5.3 mOhms | 1.5 V | 19 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
400
Verfügbar auf Lager
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Texas Instruments | MOSFET 30V NCH NexFET MOSFET | 20 V | SMD/SMT | VSONP-8 | - 40 C | + 85 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 35 A | 5.3 mOhms | 1.4 V | 27 nC | NexFET | |||
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Ein Angebot |
487
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NXP Semiconductors | MOSFET PSMN6R4-30MLD/MLFPAK/REEL 7" Q | 20 V | SMD/SMT | LFPAK33-5 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 66 A | 5.3 mOhms | 1.2 V | 13.7 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
15,000
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TSDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 20 A | 5.3 mOhms | 1.2 V | 67 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
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Ein Angebot |
6,000
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | SMD/SMT | Power-33-8 | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 17.5 A | 5.3 mOhms | PowerTrench | |||||||
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Ein Angebot |
699
Verfügbar auf Lager
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Texas Instruments | MOSFET 60-V N-Chanel NxFT Pwr MOSFETs | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 100 A | 5.3 mOhms | 1.8 V | 44 nC | NexFET | |||
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siehe | Nexperia | MOSFET Trans MOSFET N-CH 25V 75A 3-Pin | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 25 V | 75 A | 5.3 mOhms | Enhancement |
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