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28 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
10,740
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 150V 21A TDSON-8 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 150 V | 21 A | 52 mOhms | 3 V | 8.7 nC | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
4,050
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET Single P-Channel 60V,14A,52mohm | SMD/SMT | WDFN-8 | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 14 A | 52 mOhms | ||||||||
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Ein Angebot |
327
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 35 A | 52 mOhms | 3 V | 68 nC | Enhancement | CoolMOS | ||
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Ein Angebot |
7,578
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V | 8 V | SMD/SMT | SSOT-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 2.4 A | 52 mOhms | Enhancement | PowerTrench | ||||
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Ein Angebot |
3,880
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 17a 60V N-Channel Logic Level | 16 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 17 A | 52 mOhms | Enhancement | UltraFET | ||||
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Ein Angebot |
2,022
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level | 20 V | Through Hole | TO-220FP-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 18 A | 52 mOhms | Enhancement | QFET | ||||
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Ein Angebot |
1,401
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 100V N-Channel QFET | 25 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 33 A | 52 mOhms | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
13,116
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET 30V N-Ch Enh Mode 12Vgss 465pF 5.5nC | 12 V | SMD/SMT | SOT-323-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 4 A | 52 mOhms | 1.5 V | 11.7 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
2,840
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET N-CHANNEL 100V STD LEVEL MOSFET | 20 V | SMD/SMT | LFPAK56-5 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 42 A | 52 mOhms | 4.7 V | 33 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
8,666
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET P-Ch ENH FET -20V 52mOhm -5.0V | 8 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 4.2 A | 52 mOhms | - 0.9 V | 10.2 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
780
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 100V N-Channel QFET | 25 V | Through Hole | TO-220FP-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 18 A | 52 mOhms | Enhancement | QFET | ||||
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Ein Angebot |
783
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 100V N-Channel QFET | 25 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 33 A | 52 mOhms | Enhancement | QFET | ||||
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Ein Angebot |
235
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 100V 27A 52mOhm 62.7nCAC | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 33 A | 52 mOhms | 4 V | 94 nC | ||||
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Ein Angebot |
2,550
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS LOGIC LEVEL FET | SMD/SMT | LFPAK56-5 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 75 V | 20.7 A | 52 mOhms | |||||||||
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Ein Angebot |
69
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET MOSFET 650V/60A Ultra Junction X2 | 30 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 650 V | 60 A | 52 mOhms | 2.7 V | 107 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
366
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET Pwr MOSFET 60V 14A 52mOhm SGL P-CH | SMD/SMT | WDFN-8 | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 14 A | 52 mOhms | |||||||||
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Ein Angebot |
9
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET tbd Amps 500V 0.06 Ohms Rds | 30 V | Through Hole | TO-264-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 70 A | 52 mOhms | 5 V | 240 nC | Enhancement | PolarHV, ISOPLUS264, HiPerFET | ||
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Ein Angebot |
5,240
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET 30V P-Ch Enh Mode 20Vgss 587pF 12.3nC | 20 V | SMD/SMT | TSOT-26-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 4.9 A | 52 mOhms | - 1.7 V | 12.3 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
80,758
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET SSOT-3 P-CH 1.8V | 8 V | SMD/SMT | SSOT-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 2.4 A | 52 mOhms | Enhancement | PowerTrench | ||||
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Ein Angebot |
590
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ.... | - 10 V to + 25 V | Through Hole | HiP247-3 | - 55 C | + 200 C | Tube | 1 Channel | SiC | N-Channel | 1.2 kV | 65 A | 52 mOhms | 1.8 V | 122 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
6,695
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 33 A | 52 mOhms | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
1,917
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 100V 18A 52mOhm 62.7nC | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 18 A | 52 mOhms | 62.7 nC | |||||||
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Ein Angebot |
8,955
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET FET BVDSS 25V 30V N-Ch 305pF 8.2nC | 12 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 4 A | 52 mOhms | 0.6 V to 1.4 V | 11.7 nC | Enhancement | |||
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siehe | ON Semiconductor | MOSFET Single P-Channel 60V,14A,52mohm | SMD/SMT | WDFN-8 | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 14 A | 52 mOhms | |||||||||
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Ein Angebot |
35,000
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET Pwr MOSFET 60V 14A 52mOhm SGL P-CH | SMD/SMT | WDFN-8 | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 14 A | 52 mOhms | |||||||||
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siehe | Diodes Incorporated | MOSFET 30V P-Ch Enh Mode 20Vgss 587pF 12.3nC | 20 V | SMD/SMT | TSOT-26-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 4.9 A | 52 mOhms | - 1.7 V | 12.3 nC | Enhancement | PowerDI | |||
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Ein Angebot |
13,000
Verfügbar auf Lager
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Central Semiconductor | MOSFET 60Vds N-Ch Enh FET 20Vgs 5.3A 1.2W | 20 V | SMD/SMT | SOT-89-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 5.3 A | 52 mOhms | 8.8 nC | Enhancement | ||||
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siehe | Toshiba | MOSFET MOSFET N-Ch 200V 30A Rdson 0.052 Ohm | 20 V | Through Hole | TO-3PN-3 | - 55 C | + 150 C | 1 Channel | Si | N-Channel | 200 V | 30 A | 52 mOhms | Enhancement |
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