- Vgs - Gate-Source Voltage :
- Mounting Style :
- Package / Case :
-
- DirectFET-L8 (1)
- ISOPLUS-i4-PAK-5 (1)
- PLUS-247-3 (1)
- PLUS-264-3 (1)
- PowerFLAT-5x6-HV-8 (1)
- SC-70-3 (1)
- SOT-223-3 (2)
- SOT-223-4 (2)
- SOT-227-4 (3)
- SOT-23F-3 (2)
- SOT-323-6 (1)
- SOT-363-6 (1)
- SOT-457-6 (1)
- SOT-723-3 (1)
- SOT-89-3 (1)
- SSOT-3 (1)
- SSOT-6 (1)
- TO-220-3 (8)
- TO-220FP-3 (4)
- TO-247-3 (5)
- TO-252-3 (10)
- TO-262-3 (1)
- TO-263-3 (1)
- TO-264-3 (1)
- TO-268-3 (1)
- TO-39-3 (1)
- TO-3P-3 (1)
- U-DFN1212-3 (1)
- X1-DFN1212-3 (1)
- Minimum Operating Temperature :
- Maximum Operating Temperature :
- Number of Channels :
- Transistor Polarity :
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage :
- Id - Continuous Drain Current :
-
- - 1 A (1)
- - 1.5 A (1)
- - 10 A (2)
- - 3.9 A (1)
- - 32 A (3)
- 1.2 A (2)
- 1.3 A (4)
- 1.7 A (3)
- 10 A (4)
- 11 A (2)
- 11.1 A (1)
- 12 A (2)
- 14.1 A (4)
- 15 A (1)
- 2 A (1)
- 20 A (4)
- 22 A (2)
- 23 A (1)
- 25 A (1)
- 3.5 A (1)
- 30 A (2)
- 5.8 A (1)
- 545 A (1)
- 7 A (1)
- 750 mA (1)
- 8 A (1)
- 890 mA (1)
- 9 A (4)
- 9.7 A (1)
- 900 mA (2)
- 950 mA (1)
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage :
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57 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
2,974
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET POWER MOSFET | 25 V | SMD/SMT | PowerFLAT-5x6-HV-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 8 A | 350 mOhms | 3 V | 19 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
334
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOS... | 25 V | Through Hole | TO-220FP-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 11 A | 350 mOhms | 2 V | 17 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
3,950
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET N-CHANNEL 30 / 40 | 40 V | SMD/SMT | DirectFET-L8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 545 A | 350 mOhms | 2.2 V | 562 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
7,813
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET 60V N-Channel self protected | 5 V | SMD/SMT | SOT-23F-3 | - 40 C | + 125 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 1.3 A | 350 mOhms | 700 mV | Enhancement | IntelliFET | |||
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Ein Angebot |
7,713
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET NCH DUAL COOL POWERTRENCH MOSFET | 20 V | SMD/SMT | SSOT-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 1.2 A | 350 mOhms | PowerTrench | |||||
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Ein Angebot |
272
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET GAN 600V 9A 290MO | 18 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | GaN | N-Channel | 600 V | 9 A | 350 mOhms | 1.6 V | 6.2 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
150
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 30 Amps 1200V 0.35 Rds | 30 V | Through Hole | PLUS-264-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 1200 V | 30 A | 350 mOhms | 6.5 V | 310 nC | Enhancement | Polar, HiPerFET | ||
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Ein Angebot |
19,793
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET SOT-23 P-CH LOGIC | 8 V | SMD/SMT | SSOT-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 1 A | 350 mOhms | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
7,210
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 100V Single | 25 V | SMD/SMT | SOT-223-4 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 1.7 A | 350 mOhms | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
4,883
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 100V Single | 20 V | SMD/SMT | SOT-223-4 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 1.7 A | 350 mOhms | Enhancement | QFET | ||||
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Ein Angebot |
4,542
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 5.8 A | 350 mOhms | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
4,107
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET SC70-6 N-CH 25V | 8 V | SMD/SMT | SOT-323-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 25 V | 950 mA | 350 mOhms | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
2,482
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET 60V N-Channel 500mohm 1.3A 90mJ | 5 V | SMD/SMT | SOT-23F-3 | - 40 C | + 125 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 1.3 A | 350 mOhms | 700 mV | Enhancement | IntelliFET | |||
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Ein Angebot |
2,462
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET 100V P-Ch MOSFET 20V VGS -11.3A IDM | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 100 V | - 3.9 A | 350 mOhms | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
607
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET INTELLIFET MOSFET 60V N CHAN | 5 V | SMD/SMT | SOT-223-3 | - 40 C | + 125 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 1.3 A | 350 mOhms | 700 mV | Enhancement | IntelliFET | |||
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Ein Angebot |
522
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 32.4A TO220-3 | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 14.1 A | 350 mOhms | 2.5 V | 24.8 nC | Enhancement | CoolMOS | ||
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Ein Angebot |
1,679
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET 60V N-Ch Intellifet 500mohm 1.3A 480mJ | 700 mV | SMD/SMT | SOT-223-3 | - 40 C | + 125 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 1.3 A | 350 mOhms | 700 mV | Enhancement | IntelliFET | |||
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Ein Angebot |
334
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 10A TO220FP-3 CoolMOS CP | 20 V | Through Hole | TO-220FP-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 10 A | 350 mOhms | 19 nC | Enhancement | CoolMOS | |||
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Ein Angebot |
2,098
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET N-Chan 100V MOSFET (UMOS) | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 3.5 A | 350 mOhms | 4 V | 5.4 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
20
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET PHASE LEG MOSFET MOD HALF-BRIDGE 600V 1... | 30 V | Through Hole | ISOPLUS-i4-PAK-5 | - 55 C | + 150 C | Tube | 2 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 12 A | 350 mOhms | 3 V | 58 nC | ||||
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Ein Angebot |
378
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 9A TO220-3 CoolMOS CP | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 9 A | 350 mOhms | 2.5 V | 22 nC | Enhancement | CoolMOS | ||
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Ein Angebot |
7,874
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET | SOT-723-3 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 20 V | 890 mA | 350 mOhms | ||||||||||
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Ein Angebot |
18
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/23A | 30 V | Through Hole | TO-247-3 | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 1000 V | 23 A | 350 mOhms | 195 nC | HyperFET | |||||
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Ein Angebot |
445
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 32.4A TO220-3 | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 14.1 A | 350 mOhms | 2.5 V | 24.8 nC | Enhancement | CoolMOS | ||
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Ein Angebot |
2,668
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET 20V N-Ch Enh FET VL Gate 1.0V | 12 V | SMD/SMT | U-DFN1212-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 20 V | 900 mA | 350 mOhms | 450 mV | 500 pC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
534
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 10A TO220-3 | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 10 A | 350 mOhms | 3 V | 19 nC | Enhancement | CoolMOS | ||
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Ein Angebot |
6,000
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET NFET SC88 25V 1.2A 350MOH | SMD/SMT | SOT-363-6 | Reel | Si | N-Channel | 25 V | 1.2 A | 350 mOhms | ||||||||||
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Ein Angebot |
10
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 30 Amps 1200V 0.35 Rds | 30 V | Screw Mount | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 1200 V | 30 A | 350 mOhms | Enhancement | HyperFET | ||||
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Ein Angebot |
31
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds | 30 V | Through Hole | TO-3P-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 22 A | 350 mOhms | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
4
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET -32 Amps -600V 0.350 Rds | Screw Mount | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | Si | P-Channel | - 600 V | - 32 A | 350 mOhms | - 2 V to - 4 V | 196 nC |
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