- Mounting Style :
- Package / Case :
- Maximum Operating Temperature :
- Ausgewählter Filter :
4 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
221
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 140 Amps 300V 0.024 Ohms Rds | 20 V | Through Hole | TO-264-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 300 V | 140 A | 24 mOhms | Enhancement | HyperFET | |||
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Ein Angebot |
20
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds | 20 V | Chassis Mount | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 300 V | 115 A | 24 mOhms | Enhancement | HyperFET | |||
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Ein Angebot |
40
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 96 Amps 150V 0.024 Rds | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 150 V | 96 A | 24 mOhms | Enhancement | HyperFET | |||
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Ein Angebot |
9
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 120 Amps 250V 0.024 Rds | 20 V | Through Hole | TO-264-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 250 V | 120 A | 24 mOhms | Enhancement | HyperFET |
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