- Mounting Style :
- Package / Case :
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5 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | |
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Ein Angebot |
956
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 160 A | 5.3 mOhms | 4 V | 120 nC | |||
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Ein Angebot |
2,987
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 150 A | 5.3 mOhms | 120 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
3,973
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms | 20 V | Through Hole | TO-262-3 | - 55 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 150 A | 5.3 mOhms | 120 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
1,115
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET MOSFT 55V 131A 5.3mOhm 170nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 131 A | 5.3 mOhms | 4 V | 170 nC | |||
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Ein Angebot |
600
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 44 A | 5.3 mOhms | Enhancement |
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