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| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Pd - Power Dissipation | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
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Ein Angebot |
480
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Infineon Technologies | IGBT Transistors Trenchstop 5 IGBT | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | 230 W | 650 V | 1.35 V | 100 nA | +/- 20 |
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