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- Package / Case :
- Maximum Operating Temperature :
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- Collector-Emitter Saturation Voltage :
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4 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
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Ein Angebot |
30
Verfügbar auf Lager
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IXYS | IGBT Transistors XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT | Through Hole | TO-247-3 | + 150 C | Tube | 230 W | Single | 1200 V | 4 V | 36 A | 100 nA | 30 V | |||
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Ein Angebot |
238
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5 | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 230 W | Single | 650 V | 1.35 V | 80 A | 100 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
88
Verfügbar auf Lager
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IXYS | IGBT Transistors 650V/65A Trench IGBT GenX4 XPT | Through Hole | TO-247AD-3 | + 175 C | Tube | 230 W | Single | 650 V | 1.66 V | 65 A | 100 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
480
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors Trenchstop 5 IGBT | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | 230 W | 650 V | 1.35 V | 100 nA | +/- 20 |
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