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Maximum Operating Temperature :
Collector-Emitter Saturation Voltage :
3 Produkt
Bild Modell Preis Anzahl Lager Hersteller Beschreibung Mounting Style Package / Case Maximum Operating Temperature Packaging Pd - Power Dissipation Configuration Collector- Emitter Voltage VCEO Max Collector-Emitter Saturation Voltage Continuous Collector Current at 25 C Gate-Emitter Leakage Current Maximum Gate Emitter Voltage
IKW50N60H3FKSA1
1+
$2.0880
10+
$1.7760
100+
$1.5400
250+
$1.4600
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RFQ
350
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Infineon Technologies IGBT Transistors HIGH SPEED SWITCHING Through Hole TO-247-3 + 175 C Tube 333 W Single 600 V 2.25 V 100 A 100 nA 20 V
IKW50N60H3
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213
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Infineon Technologies IGBT Transistors HIGH SPEED SWITCHING Through Hole TO-247-3 + 175 C Tube 333 W Single 600 V 2.25 V 100 A 100 nA 20 V
IGW50N60H3
1+
$1.8480
10+
$1.5680
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$1.3600
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RFQ
272
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Infineon Technologies IGBT Transistors 600V 50A 333W Through Hole TO-247-3 + 150 C Tube 333 W   600 V 1.85 V 100 A 100 nA 20 V