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Mounting Style :
Maximum Operating Temperature :
Pd - Power Dissipation :
Collector- Emitter Voltage VCEO Max :
Collector-Emitter Saturation Voltage :
Gate-Emitter Leakage Current :
Maximum Gate Emitter Voltage :
6 Produkt
Bild Modell Preis Anzahl Lager Hersteller Beschreibung Mounting Style Package / Case Maximum Operating Temperature Packaging Pd - Power Dissipation Configuration Collector- Emitter Voltage VCEO Max Collector-Emitter Saturation Voltage Continuous Collector Current at 25 C Gate-Emitter Leakage Current Maximum Gate Emitter Voltage
IGW60T120
1+
$2.5200
10+
$2.2760
25+
$2.1720
100+
$1.8840
Ein Angebot
RFQ
428
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Infineon Technologies IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 1200V 60A Through Hole TO-247-3 + 150 C Tube 375 W Single 1200 V 2.3 V 100 A 600 nA 5.8 V
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25+
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Infineon Technologies IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 1200V 60A Through Hole TO-247-3 + 150 C Tube 375 W Single 1200 V 2.3 V 100 A 600 nA 5.8 V
IKW50N60H3FKSA1
1+
$2.0880
10+
$1.7760
100+
$1.5400
250+
$1.4600
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350
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Infineon Technologies IGBT Transistors HIGH SPEED SWITCHING Through Hole TO-247-3 + 175 C Tube 333 W Single 600 V 2.25 V 100 A 100 nA 20 V
IKW50N60H3
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$2.0880
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213
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Infineon Technologies IGBT Transistors HIGH SPEED SWITCHING Through Hole TO-247-3 + 175 C Tube 333 W Single 600 V 2.25 V 100 A 100 nA 20 V
IGW50N60H3
1+
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10+
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100+
$1.3600
250+
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RFQ
272
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Infineon Technologies IGBT Transistors 600V 50A 333W Through Hole TO-247-3 + 150 C Tube 333 W   600 V 1.85 V 100 A 100 nA 20 V
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10+
$27.3840
30+
$26.8440
100+
$24.8800
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Infineon Technologies IGBT Transistors 1200V 100A GAR CH Screw IS4 (34 mm )-5 + 150 C   625 W Single 1200 V 2.5 V 100 A 400 nA +/- 20 V