IGBT Transistors - Inix Electronic

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Bild	Modell	Preis	Anzahl		Lager	Hersteller	Beschreibung	Mounting Style	Package / Case	Maximum Operating Temperature	Packaging	Pd - Power Dissipation	Configuration	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	Collector-Emitter Saturation Voltage	Continuous Collector Current at 25 C	Gate-Emitter Leakage Current	Maximum Gate Emitter Voltage
	IKW30N60H3	1+ $1.5160 10+ $1.2880 100+ $1.1160 250+ $1.0600	Ein Angebot	PDF RFQ	291 Verfügbar auf Lager	Infineon Technologies	IGBT Transistors 600V 30A 187W	Through Hole	TO-247-3	+ 175 C	Tube	187 W	Single	600 V	2.5 V	60 A	100 nA	20 V
	IKW30N60H3FKSA1	1+ $1.5160 10+ $1.2880 100+ $1.1160 250+ $1.0600	Ein Angebot	PDF RFQ	240 Verfügbar auf Lager	Infineon Technologies	IGBT Transistors 600V 30A 187W	Through Hole	TO-247-3	+ 175 C	Tube	187 W	Single	600 V	2.5 V	60 A	100 nA	20 V

IKW30N60H3

IKW30N60H3

Infineon Technologies

IGBT Transistors 600V 30A 187W

Stock : 291

1+: $1.5160

10+: $1.2880

100+: $1.1160

250+: $1.0600

IKW30N60H3FKSA1

IKW30N60H3FKSA1

Infineon Technologies

IGBT Transistors 600V 30A 187W

Stock : 240

1+: $1.5160

10+: $1.2880

100+: $1.1160

250+: $1.0600

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