- Mounting Style :
- Package / Case :
- Maximum Operating Temperature :
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9 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | Maximum Gate Emitter Voltage | |
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Ein Angebot |
353
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V Warp 60-150kHz | Through Hole | TO-247-3 | Tube | 160 W | Single | 600 V | 2.5 V | 40 A | +/- 20 V | |||||
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Ein Angebot |
291
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V 30A 187W | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 187 W | Single | 600 V | 2.5 V | 60 A | 100 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
115
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V Warp 60-150kHz | Through Hole | TO-262-3 | + 150 C | Tube | 160 W | Single | 600 V | 2.5 V | 40 A | +/- 20 V | ||||
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Ein Angebot |
486
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V Low-Vceon Non Punch Through | Through Hole | TO-220AB-3 | Tube | 63 W | Single | 600 V | 2.5 V | 12 A | +/- 20 V | |||||
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Ein Angebot |
482
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V LO-VCEON NON PNCH THRU COPCK ... | SMD/SMT | TO-263-3 | + 150 C | Tube | 63 W | Single | 600 V | 2.5 V | 12 A | +/- 20 V | ||||
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Ein Angebot |
240
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V 30A 187W | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 187 W | Single | 600 V | 2.5 V | 60 A | 100 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
61
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V 20A 170W | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 170 W | Single | 600 V | 2.5 V | 40 A | 100 nA | 20 V | |||
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Ein Angebot |
240
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V 20A 170W | Through Hole | TO-247-3 | + 175 C | Tube | 170 W | Single | 600 V | 2.5 V | 40 A | 100 nA | 20 V | |||
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siehe | Infineon Technologies | IGBT Transistors 1200V 100A GAR CH | Screw | IS4 (34 mm )-5 | + 150 C | 625 W | Single | 1200 V | 2.5 V | 100 A | 400 nA | +/- 20 V |
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