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6 Produkt
Bild Modell Preis Anzahl Lager Hersteller Beschreibung Product Package / Case Maximum Operating Temperature Pd - Power Dissipation Configuration Collector- Emitter Voltage VCEO Max Collector-Emitter Saturation Voltage Continuous Collector Current at 25 C Gate-Emitter Leakage Current
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50+
$48.7320
100+
$45.4680
siehe
RFQ
Microsemi IGBT Modules Power Module - IGBT IGBT Silicon Modules SP6 + 100 C 690 W Single 1.2 kV 1.7 V 220 A 400 nA
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50+
$92.0480
siehe
RFQ
Microsemi IGBT Modules Power Module - IGBT IGBT Silicon Modules SP6 + 100 C 690 W Full Bridge 1.2 kV 1.7 V 220 A 400 nA
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50+
$48.7320
100+
$45.4680
siehe
RFQ
Microsemi IGBT Modules Power Module - IGBT IGBT Silicon Modules SP6 + 100 C 690 W Single 1.2 kV 1.7 V 220 A 400 nA
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50+
$60.0680
siehe
RFQ
Microsemi IGBT Modules Power Module - IGBT IGBT Silicon Modules SP6 + 100 C 690 W Dual 1.2 kV 1.7 V 220 A 400 nA
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50+
$62.1080
siehe
RFQ
Microsemi IGBT Modules Power Module - IGBT IGBT Silicon Modules SP6 + 100 C 690 W Dual 1.2 kV 1.7 V 220 A 400 nA
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50+
$60.0680
siehe
RFQ
Microsemi IGBT Modules Power Module - IGBT IGBT Silicon Modules SP6 + 100 C 690 W Dual 1.2 kV 1.7 V 220 A 400 nA