- Hersteller :
- Package / Case :
- Maximum Operating Temperature :
- Configuration :
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max :
- Gate-Emitter Leakage Current :
- Ausgewählter Filter :
11 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Product | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Ein Angebot |
102
Verfügbar auf Lager
|
Littelfuse | IGBT Modules 1200V 100A Dual | IGBT Silicon Modules | Package S | + 150 C | Bulk | 690 W | Dual | 1200 V | 1.8 V | 150 A | 200 nA | |||
|
siehe | Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | SP6 | + 100 C | 690 W | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 220 A | 400 nA | |||||
|
siehe | Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | SP4 | + 125 C | 690 W | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 220 A | 400 nA | |||||
|
siehe | Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | SP6 | + 100 C | 690 W | Full Bridge | 1.2 kV | 1.7 V | 220 A | 400 nA | |||||
|
siehe | Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | SP4 | + 125 C | 690 W | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 220 A | 400 nA | |||||
|
siehe | Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | SP6 | + 100 C | 690 W | Single | 1.2 kV | 1.7 V | 220 A | 400 nA | |||||
|
siehe | Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | SP6 | + 100 C | 690 W | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 220 A | 400 nA | |||||
|
siehe | Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | SP6 | + 100 C | 690 W | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 220 A | 400 nA | |||||
|
siehe | Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | SP6 | + 100 C | 690 W | Dual | 1.2 kV | 1.7 V | 220 A | 400 nA | |||||
|
siehe | Littelfuse | IGBT Modules 1700V 100A IGBT | IGBT Silicon Modules | Package D | + 125 C | Bulk | 690 W | Half Bridge | 1700 V | 2 V | 150 A | 400 nA | ||||
|
Ein Angebot |
10
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 75A DUAL | IGBT Silicon Modules | 34MM | + 125 C | Tray | 690 W | Dual | 1200 V | 2.4 V | 170 A | 400 nA |
1 / 1 Seite