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Maximum Operating Temperature :
Packaging :
Collector- Emitter Voltage VCEO Max :
Collector-Emitter Saturation Voltage :
Continuous Collector Current at 25 C :
Gate-Emitter Leakage Current :
11 Produkt
Bild Modell Preis Anzahl Lager Hersteller Beschreibung Product Package / Case Maximum Operating Temperature Packaging Pd - Power Dissipation Configuration Collector- Emitter Voltage VCEO Max Collector-Emitter Saturation Voltage Continuous Collector Current at 25 C Gate-Emitter Leakage Current
MG12105S-BA1MM
1+
$30.2400
5+
$29.6440
10+
$28.4040
25+
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Littelfuse IGBT Modules 1200V 100A Dual IGBT Silicon Modules Package S + 150 C Bulk 690 W Dual 1200 V 1.8 V 150 A 200 nA
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siehe
RFQ
Microsemi IGBT Modules Power Module - IGBT IGBT Silicon Modules SP6 + 100 C   690 W Single 1.2 kV 1.7 V 220 A 400 nA
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Microsemi IGBT Modules Power Module - IGBT IGBT Silicon Modules SP4 + 125 C   690 W Dual 1.2 kV 1.7 V 220 A 400 nA
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Microsemi IGBT Modules Power Module - IGBT IGBT Silicon Modules SP6 + 100 C   690 W Full Bridge 1.2 kV 1.7 V 220 A 400 nA
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$50.7280
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siehe
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Microsemi IGBT Modules Power Module - IGBT IGBT Silicon Modules SP4 + 125 C   690 W Dual 1.2 kV 1.7 V 220 A 400 nA
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Microsemi IGBT Modules Power Module - IGBT IGBT Silicon Modules SP6 + 100 C   690 W Single 1.2 kV 1.7 V 220 A 400 nA
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$60.0680
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Microsemi IGBT Modules Power Module - IGBT IGBT Silicon Modules SP6 + 100 C   690 W Dual 1.2 kV 1.7 V 220 A 400 nA
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Microsemi IGBT Modules Power Module - IGBT IGBT Silicon Modules SP6 + 100 C   690 W Dual 1.2 kV 1.7 V 220 A 400 nA
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Microsemi IGBT Modules Power Module - IGBT IGBT Silicon Modules SP6 + 100 C   690 W Dual 1.2 kV 1.7 V 220 A 400 nA
MG17100D-BN4MM
60+
$42.3960
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RFQ
Littelfuse IGBT Modules 1700V 100A IGBT IGBT Silicon Modules Package D + 125 C Bulk 690 W Half Bridge 1700 V 2 V 150 A 400 nA
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1+
$30.1080
5+
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Infineon Technologies IGBT Modules 1200V 75A DUAL IGBT Silicon Modules 34MM + 125 C Tray 690 W Dual 1200 V 2.4 V 170 A 400 nA