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Pd - Power Dissipation :
Configuration :
Continuous Collector Current at 25 C :
7 Produkt
Bild Modell Preis Anzahl Lager Hersteller Beschreibung Product Package / Case Maximum Operating Temperature Pd - Power Dissipation Configuration Collector- Emitter Voltage VCEO Max Collector-Emitter Saturation Voltage Continuous Collector Current at 25 C Gate-Emitter Leakage Current
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50+
$84.2920
siehe
RFQ
Microsemi IGBT Modules Power Module - IGBT IGBT Silicon Modules D3-11 + 125 C 1.45 kW Dual 1.2 kV 1.7 V 440 A 400 nA
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50+
$51.0120
100+
$47.5920
siehe
RFQ
Microsemi IGBT Modules Power Module - IGBT IGBT Silicon Modules D3-11 + 125 C 1.05 kW Single 1.2 kV 1.7 V 300 A 400 nA
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$51.0120
100+
$47.5920
siehe
RFQ
Microsemi IGBT Modules Power Module - IGBT IGBT Silicon Modules D3-11 + 125 C 1.05 kW Single 1.2 kV 1.7 V 300 A 400 nA
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50+
$68.6640
siehe
RFQ
Microsemi IGBT Modules Power Module - IGBT IGBT Silicon Modules D3-11 + 125 C 1.05 kW Dual 1.2 kV 1.7 V 300 A 400 nA
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$110.7600
siehe
RFQ
Microsemi IGBT Modules Power Module - IGBT IGBT Silicon Modules D3-11 + 125 C 2.1 kW Dual 1.2 kV 1.7 V 580 A 400 nA
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50+
$56.0760
siehe
RFQ
Microsemi IGBT Modules Power Module - IGBT IGBT Silicon Modules D3-11 + 125 C 1.45 kW Single 1.2 kV 1.7 V 440 A 400 nA
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50+
$56.0760
siehe
RFQ
Microsemi IGBT Modules Power Module - IGBT IGBT Silicon Modules D3-11 + 125 C 1.45 kW Single 1.2 kV 1.7 V 440 A 400 nA