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6 Produkt
Bild Modell Preis Anzahl Lager Hersteller Beschreibung Product Package / Case Maximum Operating Temperature Pd - Power Dissipation Configuration Collector- Emitter Voltage VCEO Max Collector-Emitter Saturation Voltage Continuous Collector Current at 25 C Gate-Emitter Leakage Current
FZ800R12KS4_B2
1+
$359.6960
5+
$353.9440
siehe
RFQ
Infineon Technologies IGBT Modules N-CH 1.2KV 1.2KA IGBT Silicon Modules IHM130 + 125 C 7.6 kW Dual 1200 V 3.7 V 1200 A 400 nA
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1+
$339.7120
5+
$334.2800
siehe
RFQ
Infineon Technologies IGBT Modules 1200V 1200A IGBT Module   IHM 130X140-10 + 125 C 5 kW Dual 1200 V 1.7 V 1200 A 400 nA
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1+
$485.6760
5+
$477.9120
siehe
RFQ
Infineon Technologies IGBT Modules 1600V 1200A SINGLE IGBT Silicon Modules IHM130 + 125 C 7.8 kW Dual 1600 V 3.5 V 1200 A 400 nA
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1+
$281.5000
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$277.0000
siehe
RFQ
Infineon Technologies IGBT Modules 1200V 800A DUAL IGBT Silicon Modules IHM130 + 125 C 3.9 kW Dual 1200 V 1.7 V 1200 A 400 nA
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$398.7920
5+
$392.4160
Ein Angebot
RFQ
3
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Infineon Technologies IGBT Modules N-CH 1.7KV 1.2KA IGBT Silicon Modules IHM130 + 125 C   Dual Dual Collector Dual Emitter 1700 V   1200 A  
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$388.3680
5+
$382.1560
Ein Angebot
RFQ
3
Verfügbar auf Lager
Infineon Technologies IGBT Modules N-CH 1.7KV 1.2KA IGBT Silicon Modules IHM130 + 125 C   Single Dual Collector Dual Emitter 1700 V   1200 A