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1 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Product | Maximum Operating Temperature | Pd - Power Dissipation | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | |
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Ein Angebot |
51
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Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT 1200V 50A | IGBT Silicon Modules | + 150 C | 285 W | 1200 V | 2.15 V | 50 A | 100 nA |
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