- Hersteller :
- Maximum Operating Temperature :
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max :
- Collector-Emitter Saturation Voltage :
- Gate-Emitter Leakage Current :
- Ausgewählter Filter :
15 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Product | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Pd - Power Dissipation | Configuration | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Collector-Emitter Saturation Voltage | Continuous Collector Current at 25 C | Gate-Emitter Leakage Current | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Ein Angebot |
51
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT 1200V 50A | IGBT Silicon Modules | + 150 C | 285 W | 1200 V | 2.15 V | 50 A | 100 nA | ||||||
|
Ein Angebot |
30
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | IGBT Modules | IGBT Silicon Modules | SmartPIM1 | + 150 C | Bulk | 160 W | PIM 3-Phase Input Rectifier | 650 V | 1.6 V | 50 A | 100 nA | |||
|
Ein Angebot |
5
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 50A | IGBT Silicon Modules | Econo 3 | + 150 C | Tray | 280 W | 3-Phase | 1200 V | 2.25 V | 50 A | 100 nA | |||
|
Ein Angebot |
8
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 50A | IGBT Silicon Modules | Econo 2 | + 150 C | Bulk | Array 7 | 1200 V | 50 A | ||||||
|
Ein Angebot |
8
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 50A | IGBT Silicon Modules | EconoPACK 2 | + 150 C | Bulk | 280 W | Hex | 1200 V | 2.7 V | 50 A | 150 nA | |||
|
Ein Angebot |
20
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 50A PIM | EconoPIM3-24 | + 125 C | Bulk | 230 W | Hex | 1200 V | 3.2 V | 50 A | 400 nA | ||||
|
Ein Angebot |
10
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT Module 50A 1200V | IGBT Silicon Modules | Econo 3 | + 150 C | 280 W | 3-Phase | 1200 V | 2.25 V | 50 A | 100 nA | ||||
|
Ein Angebot |
48
Verfügbar auf Lager
|
Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | SP1-12 | + 100 C | 90 W | Full Bridge | 600 V | 1.5 V | 50 A | 300 nA | ||||
|
siehe | Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | SP3-32 | + 100 C | 90 W | 3-Phase | 600 V | 1.5 V | 50 A | 300 nA | |||||
|
siehe | Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | SP1-12 | + 100 C | 90 W | 600 V | 1.5 V | 50 A | 300 nA | ||||||
|
siehe | Microsemi | IGBT Modules Power Module - IGBT | IGBT Silicon Modules | SP3-32 | + 100 C | 90 W | 600 V | 1.5 V | 50 A | 300 nA | ||||||
|
siehe | IXYS | IGBT Modules 25 Amps 1200V | IGBT Silicon Modules | E2-Pack | + 125 C | Bulk | Hex | 1200 V | 50 A | |||||||
|
siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 50A | IGBT Silicon Modules | EconoPACK 2 | + 150 C | 350 W | Hex | 1200 V | 2.5 V | 50 A | 200 nA | |||||
|
siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules 600V 30A PIM | IGBT Silicon Modules | EconoPIM2 | + 125 C | 180 W | Hex | 600 V | 2.45 V | 50 A | 300 nA | |||||
|
siehe | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 35A DUAL | IGBT Silicon Modules | Half Bridge1 | + 150 C | 280 W | Half Bridge | 1200 V | 3.2 V | 50 A | 150 nA |
1 / 1 Seite