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1 Produkt
Bild Modell Preis Anzahl Lager Hersteller Beschreibung Mounting Style Package / Case Maximum Operating Temperature Packaging Output Power Technology Transistor Polarity Vds - Drain-Source Breakdown Voltage Id - Continuous Drain Current Rds On - Drain-Source Resistance Gain
BLA6H0912-500,112
20+
$200.4600
siehe
RFQ
NXP Semiconductors RF MOSFET Transistors TRANS RADAR PWR LDMOS SMD/SMT SOT-634A-3 + 150 C Tube 450 W Si N-Channel 100 V 54 A 85 mOhms 17 dB