Schaffung einer zuverlässigen Handelsplattform für globale Hersteller und Lieferanten.
Packaging :
5 Produkt
Bild Modell Preis Anzahl Lager Hersteller Beschreibung Mounting Style Package / Case Maximum Operating Temperature Packaging Output Power Technology Transistor Polarity Vds - Drain-Source Breakdown Voltage Id - Continuous Drain Current Rds On - Drain-Source Resistance Gain
Default Photo
250+
$20.7400
siehe
RFQ
Infineon Technologies RF MOSFET Transistors RFP-LDMOS GOLDMOS 8   H-36248-2   Reel   Si          
Default Photo
250+
$138.0400
siehe
RFQ
Infineon Technologies RF MOSFET Transistors RFP-LDH1V   H-36248-2   Reel   Si          
Default Photo
250+
$25.8040
siehe
RFQ
Infineon Technologies RF MOSFET Transistors RFP-LDMOS 9   H-36248-2   Reel   Si          
PTFA192001E V4 R250
250+
$49.0440
siehe
RFQ
Infineon Technologies RF MOSFET Transistors Hi Pwr RF LDMOS FET 200 W 1930-1990 ... SMD/SMT H-36248-2 + 150 C Reel 100 W Si N-Channel 65 V 900 mA 50 mOhms 17 dB
PTFA192001E V4
siehe
RFQ
Infineon Technologies RF MOSFET Transistors RFP-LDMOS GOLDMOS 8 SMD/SMT H-36248-2 + 150 C Tray 100 W Si N-Channel 65 V 900 mA 50 mOhms 17 dB