- Hersteller :
- Maximum Operating Temperature :
- Ausgewählter Filter :
7 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Output Power | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Gain | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Ein Angebot |
42
Verfügbar auf Lager
|
MACOM | RF MOSFET Transistors 100-200MHz 45Watts 28Volt Gain 17dB | SMD/SMT | Case 211-07 | + 150 C | Tray | 45 W | Si | N-Channel | 65 V | 4.5 A | 17 dB | |||
|
Ein Angebot |
104
Verfügbar auf Lager
|
MACOM | RF MOSFET Transistors 5-400MHz 30Watts 28Volt Gain 13dB | SMD/SMT | Case 211-07 | + 150 C | Tray | 30 W | Si | N-Channel | 65 V | 5 A | 13 dB at 150 MHz | |||
|
Ein Angebot |
113
Verfügbar auf Lager
|
MACOM | RF MOSFET Transistors 5-175MHz 30Watts 50Volt Gain 18dB | SMD/SMT | Case 211-07 | + 150 C | Tray | 30 W | Si | N-Channel | 125 V | 6 A | 18 dB at 30 MHz | |||
|
Ein Angebot |
255
Verfügbar auf Lager
|
MACOM | RF MOSFET Transistors 5-400MHz 15Watts 28Volt Gain 16dB | SMD/SMT | Case 211-07 | + 150 C | Tray | 15 W | Si | N-Channel | 65 V | 2.5 A | 16 dB at 150 MHz | |||
|
Ein Angebot |
11
Verfügbar auf Lager
|
Advanced Semiconductor, Inc. | RF MOSFET Transistors RF Transistor | SMD/SMT | Case 211-07 | + 200 C | Tray | Si | N-Channel | 65 V | 4.5 A | |||||
|
Ein Angebot |
6
Verfügbar auf Lager
|
Advanced Semiconductor, Inc. | RF MOSFET Transistors RF Transistor | SMD/SMT | Case 211-07 | + 200 C | Tray | Si | N-Channel | 65 V | 9 A | |||||
|
Ein Angebot |
240
Verfügbar auf Lager
|
MACOM | RF MOSFET Transistors 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB | SMD/SMT | Case 211-07 | + 150 C | Tray | 5 W | Si | N-Channel | 65 V | 900 mA | 11 dB |
1 / 1 Seite