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1 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Packaging | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | |
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siehe | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Dual N-Channel 6V 30mA 180mW | SMD/SMT | SOT-666-6 | Reel | Si | Dual N-Channel | 6 V, 6 V | 30 mA, 30 mA | - |
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