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1 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Output Power | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Gain | |
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siehe | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors HV8 2.1GHZ 120W NI780HS | SMD/SMT | NI-780S | + 150 C | Reel | 28 W | Si | N-Channel | 65 V | 17.6 dB at 2.17 GHz |
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