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Bild Modell Preis Anzahl Lager Hersteller Beschreibung Mounting Style Package / Case Maximum Operating Temperature Packaging Output Power Technology Transistor Polarity Vds - Drain-Source Breakdown Voltage Id - Continuous Drain Current Gain
LET9120
60+
$69.0000
siehe
RFQ
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors RF Power LdmoST 120W 18 dB 860MHz SMD/SMT M246 + 150 C Bulk 120 W Si N-Channel 80 V 18 A 18 dB at 860 MHz