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Packaging :
Output Power :
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage :
Id - Continuous Drain Current :
3 Produkt
Bild Modell Preis Anzahl Lager Hersteller Beschreibung Mounting Style Package / Case Maximum Operating Temperature Packaging Output Power Technology Transistor Polarity Vds - Drain-Source Breakdown Voltage Id - Continuous Drain Current Gain
2SK3475TE12LF
1+
$0.9040
10+
$0.7280
100+
$0.5840
500+
$0.5080
1000+
$0.4200
Ein Angebot
RFQ
1,000
Verfügbar auf Lager
Toshiba RF MOSFET Transistors N-Ch Radio Freq 1A 3W 20V VDSS SMD/SMT PW-Mini-3   Reel 630 mW Si N-Channel 20 V 1 A 14.9 dB
2SK3074TE12LF
1+
$1.1640
10+
$0.9360
100+
$0.7480
250+
$0.7120
1000+
$0.5400
Ein Angebot
RFQ
1,000
Verfügbar auf Lager
Toshiba RF MOSFET Transistors N-Ch Radio Freq 1A 3W 30V VDSS SMD/SMT PW-Mini-3   Reel 630 mW Si N-Channel 30 V 1 A 14.9 dB
PD85035-E
400+
$9.9440
siehe
RFQ
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors POWER R.F. N-Ch Trans SMD/SMT PowerSO-12 + 165 C Tube 35 W Si N-Channel 40 V 8 A 14.9 dB