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- Package / Case :
- Maximum Operating Temperature :
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5 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Output Power | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Gain | |
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Ein Angebot |
802
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NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors LDMOS FET HI PWR TO272FN | SMD/SMT | TO-272-6 Wrap EP | + 150 C | Reel | 50 W | Si | N-Channel | 40 V | 12 A | 14.5 dB | |||
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siehe | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors LDMOS FET HI PWR TO272FN | SMD/SMT | TO-272-6 EP | + 150 C | Reel | 50 W | Si | N-Channel | 40 V | 12 A | 14.5 dB | ||||
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siehe | STMicroelectronics | RF MOSFET Transistors RF Power Trans N-Channel | SMD/SMT | PowerSO-10RF-2 | + 165 C | Reel | 25 W | Si | N-Channel | 12.5 V | 7 A | 14.5 dB | ||||
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siehe | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors HV8 2.1GHZ 160W NI780H-4 | SMD/SMT | NI-780-4 | + 150 C | Reel | 16 W | Si | N-Channel | 65 V | 14.5 dB | |||||
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siehe | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors HV8 2.1GHZ 160W NI780S-4 | SMD/SMT | NI-780S-4 | + 150 C | Reel | 16 W | Si | N-Channel | 65 V | 14.5 dB |
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