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3 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Output Power | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Gain | |
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217
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NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors RF LDMOS TO272-6N FLAT | SMD/SMT | TO-272-8 EP | + 150 C | Reel | 70 W | Si | N-Channel | 40 V | 11.5 dB | ||||
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siehe | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors RF LDMOS TO272-6N FORMED | SMD/SMT | TO-272-8 Wrap EP | + 150 C | Reel | 70 W | Si | N-Channel | 40 V | 11.5 dB | |||||
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939
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Toshiba | RF MOSFET Transistors N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS | SMD/SMT | PW-X-4 | Reel | Si | N-Channel | 12 V | 3 A | 11.5 dB |
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